Fourniture d'usine Métal liquide Gallium Indium Alliage d'étain Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introduzione
1. Nome di u produttu: Purità alta 99,99Gallium Indium TinMetallu liquiduGalinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Formula : GaInSn
3. Purità: 99,99%, 99,999%
4. Cuntinutu: Ga: In: Sn = 68.5: 21.5: 10 o persunalizatu
5. Apparizione: Silver White metallu liquidu
Prestazione
Eccellente conduttività termica è elettrica, proprietà stabili, sicura è micca tossica
Adatta per una buttiglia di plastica è deve esse lasciatu un pocu di spaziu, ùn pò micca esse imballatu cù cuntenituri di vetru.
Gallium Indium Tin, cunnisciutu ancu GITO, hè un alliatu ternariu custituitu di Gallium (Ga), Indium (In) è Tin (Sn).Hè un materiale unicu cù proprietà ottiche è elettriche sintonizzabili, chì u facenu ideale per una varietà di applicazioni.Alcune possibili applicazioni di GITO includenu:
1. Revestimentu cunduttivu trasparente: GITO hè investigatu cum'è un sustitutu potenziale per l'ossidu di stagno indiu (ITO), chì hè largamente utilizatu in l'elettrodi conduttivi trasparenti.Havi una alta trasparenza è una bassa resistività, facendu ideale per l'usu in display di pannellu pianu, cellule solari è altri apparecchi optoelettronici.
2. Dispositivi termoelettrichi: GITO hà boni proprietà termoelettriche è pò esse usatu per a ricuperazione di u calore di scarti in diverse applicazioni, cum'è l'industria automobilistica è aerospaziale.
3. Elettronica flexible: GITO pò esse dipositu nantu à sustrati flexibuli per fabricà l'elettronica wearable flexible.
4. Sensors: GITO pò esse usatu cum'è un materiale sensitivu per parechji sensori cum'è sensori di gas è biosensori.In generale, GITO hè un materiale promettente cù applicazioni potenziali in diverse industrii per via di e so proprietà uniche.A ricerca in GITO hè in corso è hè prevista di ghjucà un rolu impurtante in u sviluppu di e tecnulugia novi.
Applicazione
1. Preparazione di Gallium Arsenide (GaAs), Gallium Phoshpide (GaP) è Gallium Nitrure (GaN) per wireless
cumunicazione, illuminazione LED
2. GaAs cellula sulari cuncintrata è CIGS Thin-film cellula sulari
3. Sustanza magnetichi è materiali magnetichi avanzati Nd-Fe-B
4. Low alliage puntu di fusione, preparazione di Ga2O3 è chip semiconductor
cumunicazione, illuminazione LED
2. GaAs cellula sulari cuncintrata è CIGS Thin-film cellula sulari
3. Sustanza magnetichi è materiali magnetichi avanzati Nd-Fe-B
4. Low alliage puntu di fusione, preparazione di Ga2O3 è chip semiconductor
Specificazione
| Pruduttu | GaInSn metal (Ga: In: Sn=68.5:21.5:10) | ||
| Batch No. | 22112502 | Quantità | 100 kg |
| Data di fabricazione: | 25 nuvembre 2022 | Data di a prova: | 25 nuvembre 2022 |
| Metudu di prova | Elementu | Concentrazione (ppm wt) | |
| Purità | ≥99,99% | > 99,99% | |
| Analisi ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Epoca-Chem | ||
