Fabriksforsyning Flydende metal Gallium Indium Tinlegering Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Kort introduktion
1. Produktnavn: Høj renhed 99,99Gallium Indium TinFlydende metalGalinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Formel: GaInSn
3. Renhed: 99,99 %, 99,999 %
4. Indhold: Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 eller tilpasset
5. Udseende: Sølv Hvid flydende metal
Ydeevne
Fremragende termisk og elektrisk ledningsevne, stabile egenskaber, sikker og ikke-giftig
Velegnet til plastikflaske og skal efterlades lidt plads, kan ikke pakkes med glasbeholdere.
Gallium Indium Tin, også kendt som GITO, er en ternær legering bestående af Gallium (Ga), Indium (In) og Tin (Sn).Det er et unikt materiale med justerbare optiske og elektriske egenskaber, hvilket gør det ideelt til en række forskellige anvendelser.Nogle mulige anvendelser af GITO inkluderer:
1. Transparent ledende belægning: GITO undersøger som en potentiel erstatning for indiumtinoxid (ITO), som er meget udbredt i transparente ledende elektroder.Den har høj gennemsigtighed og lav resistivitet, hvilket gør den ideel til brug i fladskærme, solceller og andre optoelektroniske enheder.
2. Termoelektriske enheder: GITO har gode termoelektriske egenskaber og kan bruges til spildvarmegenvinding i forskellige applikationer såsom bil- og rumfartsindustrien.
3. Fleksibel elektronik: GITO kan afsættes på fleksible underlag for at fremstille fleksibel, bærbar elektronik.
4. Sensorer: GITO kan bruges som et følsomt materiale til forskellige sensorer såsom gassensorer og biosensorer.Samlet set er GITO et lovende materiale med potentielle anvendelser i forskellige industrier på grund af dets unikke egenskaber.Forskningen på GITO er i gang og forventes at spille en vigtig rolle i udviklingen af nye teknologier.
Ansøgning
1. Fremstilling af galliumarsenid(GaAs), galliumphoshpide(GaP) og galliumnitrid(GaN) til trådløs
kommunikation, LED-belysning
2. GaAs koncentreret solcelle og CIGS tyndfilm solcelle
3. Magnetisk stof og Nd-Fe-B avancerede magnetiske materialer
4. Lavtsmeltende legering, fremstilling af Ga2O3 og halvlederchip
kommunikation, LED-belysning
2. GaAs koncentreret solcelle og CIGS tyndfilm solcelle
3. Magnetisk stof og Nd-Fe-B avancerede magnetiske materialer
4. Lavtsmeltende legering, fremstilling af Ga2O3 og halvlederchip
Specifikation
| Produkt | GaInSn metal ( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10) | ||
| Batchnr. | 22112502 | Antal | 100 kg |
| Fremstillingsdato: | 25. november 2022 | Dato for test: | 25. november 2022 |
| Testmetode | Element | Koncentration (ppm vægt) | |
| Renhed | ≥99,99 % | ＞99,99 % | |
| ICP-analyse (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Mærke | Epoch-Chem | ||
