Suministro de fábrica Metal líquido Galio Indio Aleación de estaño Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introducción
1. Nombre del producto: Alta pureza 99,99Galio Indio Estaño Metal líquido galinstan GananciaSn Ga68.5 En21.5Sn10
2. Fórmula:GananciaSn
3. Pureza: 99,99%, 99,999%
4. Contenido: Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 o personalizado
5. Apariencia: metal líquido blanco plateado.
Actuación
Excelente conductividad térmica y eléctrica, propiedades estables, seguras y no tóxicas.
Adecuado para botellas de plástico y se debe dejar algo de espacio, no se puede empaquetar con recipientes de vidrio.
Estaño de galio indio, también conocido como GITO, es una aleación ternaria formada por galio (Ga), indio (In) y estaño (Sn). Es un material único con propiedades ópticas y eléctricas sintonizables, lo que lo hace ideal para una variedad de aplicaciones. Algunas posibles aplicaciones de GITO incluyen:
1. Recubrimiento conductor transparente: GITO está investigando como un posible reemplazo del óxido de indio y estaño (ITO), que se usa ampliamente en electrodos conductores transparentes. Tiene alta transparencia y baja resistividad, lo que lo hace ideal para su uso en pantallas planas, células solares y otros dispositivos optoelectrónicos.
2. Dispositivos termoeléctricos: GITO tiene buenas propiedades termoeléctricas y puede usarse para la recuperación de calor residual en diversas aplicaciones, como las industrias automotriz y aeroespacial.
3. Electrónica flexible: GITO se puede depositar sobre sustratos flexibles para fabricar electrónica portátil flexible.
4. Sensores: GITO se puede utilizar como material sensible para varios sensores, como sensores de gas y biosensores. En general, GITO es un material prometedor con aplicaciones potenciales en diversas industrias debido a sus propiedades únicas. La investigación en GITO está en curso y se espera que desempeñe un papel importante en el desarrollo de nuevas tecnologías.
Solicitud
1. Preparación de arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de galio (GaP) yNitruro de galio(GaN) para conexión inalámbrica
comunicación, iluminación LED
2. Célula solar concentrada de GaAs y célula solar de película fina CIGS
3. Sustancia magnética y materiales magnéticos avanzados Nd-Fe-B.
4. Aleación de bajo punto de fusión, preparación de Ga2O3 y chip semiconductor.
comunicación, iluminación LED
2. Célula solar concentrada de GaAs y célula solar de película fina CIGS
3. Sustancia magnética y materiales magnéticos avanzados Nd-Fe-B.
4. Aleación de bajo punto de fusión, preparación de Ga2O3 y chip semiconductor.
Especificación
| Producto | Ganancia de metal(Ga:En:Sn=68,5:21,5:10) | ||
| Lote No. | 22112502 | Cantidad | 100 kilos |
| Fecha de fabricación: | 25 de noviembre de 2022 | Fecha de la prueba: | 25 de noviembre de 2022 |
| Método de prueba | Elemento | Concentración (ppm peso) | |
| Pureza | ≥99,99% | >99,99% | |
| Análisis de PIC (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Xinglu | ||
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