Suministro de fábrica Metal líquido Galio Indio Aleación de estaño Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introducción
1. Nombre del producto: Alta pureza 99,99Estaño de galio indioMetal liquidogalinstan GananciaSn Ga68.5 En21.5Sn10
2. Fórmula: GananciaSn
3. Pureza: 99,99%, 99,999%
4. Contenido: Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 o personalizado
5. Apariencia: metal líquido blanco plateado.
Actuación
Excelente conductividad térmica y eléctrica, propiedades estables, seguras y no tóxicas.
Adecuado para botellas de plástico y se debe dejar algo de espacio, no se puede empaquetar con recipientes de vidrio.
Galio Indio Estaño, también conocido como GITO, es una aleación ternaria compuesta de Galio (Ga), Indio (In) y Estaño (Sn).Es un material único con propiedades ópticas y eléctricas sintonizables, lo que lo hace ideal para una variedad de aplicaciones.Algunas posibles aplicaciones de GITO incluyen:
1. Recubrimiento conductor transparente: GITO está investigando como un posible reemplazo del óxido de indio y estaño (ITO), que se usa ampliamente en electrodos conductores transparentes.Tiene alta transparencia y baja resistividad, lo que lo hace ideal para su uso en pantallas planas, células solares y otros dispositivos optoelectrónicos.
2. Dispositivos termoeléctricos: GITO tiene buenas propiedades termoeléctricas y puede usarse para la recuperación de calor residual en diversas aplicaciones, como las industrias automotriz y aeroespacial.
3. Electrónica flexible: GITO se puede depositar sobre sustratos flexibles para fabricar electrónica portátil flexible.
4. Sensores: GITO se puede utilizar como material sensible para varios sensores, como sensores de gas y biosensores.En general, GITO es un material prometedor con aplicaciones potenciales en diversas industrias debido a sus propiedades únicas.La investigación en GITO está en curso y se espera que desempeñe un papel importante en el desarrollo de nuevas tecnologías.
Solicitud
1. Preparación de arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de galio (GaP) y nitruro de galio (GaN) para uso inalámbrico
comunicación, iluminación LED
2. Célula solar concentrada de GaAs y célula solar de película fina CIGS
3. Sustancia magnética y materiales magnéticos avanzados Nd-Fe-B.
4. Aleación de bajo punto de fusión, preparación de Ga2O3 y chip semiconductor.
comunicación, iluminación LED
2. Célula solar concentrada de GaAs y célula solar de película fina CIGS
3. Sustancia magnética y materiales magnéticos avanzados Nd-Fe-B.
4. Aleación de bajo punto de fusión, preparación de Ga2O3 y chip semiconductor.
Especificación
| Producto | GaInSn metal ( Ga:In:Sn=68,5:21,5:10 ) | ||
| Lote N º. | 22112502 | Cantidad | 100 kilos |
| Fecha de manufactura: | 25 de noviembre de 2022 | Fecha de la prueba: | 25 de noviembre de 2022 |
| Método de prueba | Elemento | Concentración (ppm peso) | |
| Pureza | ≥99,99% | >99,99% | |
| Análisis de PIC (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Época-Chem | ||
