Niobium Silicidio NBSI2 Precio de polvo

Característica deSilicida de niobio
Artículo | otro nombre | Casta | Einecs | peso molecular | punto de fusión |
NBSI2 | Silicidio de niobio; Disilicidio de niobio | 12034-80-9 | 234-812-3 | 149.0774 | 1940 ℃ |
Especificación de producto deSilicida de niobiopolvo
Nano Grade (99.9%): 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 80 nm, 100nm, 200nm, 300nm, 500nm, 800nm.
Micro grado (99.9%): 1um, 3um, 5um, 10um, 20um, 30um, 40 nm, 45um, 75um, 150um, 200um, 300um.
Los parámetros de NISI2 son los siguientes:
Composición química: SI: 4.3%, mg: 0.1%, el resto es Ni
Densidad: 8.585g/cm3
Resistencia: 0.365 Q mm2 / m
Coeficiente de temperatura de resistencia (20-100 ° C) 689x10 menos 6º potencia / kcoeficiente de expansión térmica (20-100 ° C) 17x10 menos 6ta potencia / k
Conductividad térmica (100 ° C) 27xWm Negativo Primera potencia K Negativo Primer punto de powermelting: 1309 ° C
Campos de aplicación:
El silicio es los materiales semiconductores más utilizados. Se han estudiado una variedad de silicidas metálicos para la tecnología de contacto e interconexión de dispositivos semiconductores. Mosi2, WSL yNI2SI se han introducido en el desarrollo de dispositivos microelectrónicos. Estas películas basadas en silicones tienen una buena coincidencia con los materiales de silicio y se pueden usar para la mayor parte de la autoaluación, aislados, aislados, aislados, a la transmisión, a aislamiento, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la transmisión, a la medición, a la transmisión, a la medición, a la transmisión, a la medición, a la medición. Silicidematerial para dispositivos a nanoescala, se ha estudiado ampliamente por su baja pérdida de silicio y bajo presupuesto de medición de formación, baja resistividad y sin efecto de ancho de línea en el electrodo de grafeno, el silicidio de níquel puede retrasar la aparición de pulverización y descifrado del electrodo de silicio y mejorar la conductividad del electrodo. Los efectos de la eliminación y la dispersión de la alloy de sic ceb.
Se investigaron temperaturas y atmósferas.
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