عرضه کارخانه فلز مایع گالیم ایندیم قلع آلیاژ Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
معرفی مختصر
1. نام محصول: خلوص بالا 99.99قلع گالیوم ایندیومفلز مایعگالینستان GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. فرمول: GaInSn
3. خلوص: 99.99%، 99.999%
4. محتوا: Ga: در: Sn=68.5:21.5: 10 یا سفارشی
5. ظاهر: فلز مایع نقره ای سفید
کارایی
هدایت حرارتی و الکتریکی عالی، خواص پایدار، ایمن و غیر سمی
برای بطری پلاستیکی مناسب است و باید مقداری فضا در آن باقی بماند، نمی توان آن را با ظروف شیشه ای بسته بندی کرد.
گالیوم ایندیم قلع که به نام GITO نیز شناخته می شود، آلیاژی سه تایی است که از گالیم (Ga)، ایندیم (In) و قلع (Sn) تشکیل شده است.این یک ماده منحصر به فرد با خواص نوری و الکتریکی قابل تنظیم است که آن را برای کاربردهای مختلف ایده آل می کند.برخی از کاربردهای احتمالی GITO عبارتند از:
1. پوشش رسانای شفاف: GITO به عنوان جایگزینی بالقوه برای اکسید قلع ایندیم (ITO)، که به طور گسترده در الکترودهای رسانای شفاف استفاده می شود، بررسی می شود.دارای شفافیت بالا و مقاومت کم است که آن را برای استفاده در نمایشگرهای صفحه تخت، سلول های خورشیدی و سایر دستگاه های الکترونیک نوری ایده آل می کند.
2. دستگاه های ترموالکتریک: GITO دارای خواص ترموالکتریک خوبی است و می تواند برای بازیابی گرمای اتلاف در کاربردهای مختلف مانند صنایع خودروسازی و هوافضا استفاده شود.
3. لوازم الکترونیکی انعطاف پذیر: GITO را می توان بر روی بسترهای انعطاف پذیر برای ساخت لوازم الکترونیکی پوشیدنی انعطاف پذیر قرار داد.
4. سنسورها: GITO می تواند به عنوان یک ماده حساس برای سنسورهای مختلف مانند سنسورهای گاز و بیوسنسورها استفاده شود.به طور کلی، GITO یک ماده امیدوارکننده با کاربردهای بالقوه در صنایع مختلف به دلیل خواص منحصر به فرد آن است.تحقیقات در GITO ادامه دارد و انتظار می رود نقش مهمی در توسعه فناوری های جدید ایفا کند.
کاربرد
1. تهیه آرسنید گالیم (GaAs)، گالیم فوشپید (GaP) و نیترید گالیم (GaN) برای بی سیم
ارتباطات، روشنایی LED
2. سلول خورشیدی متمرکز GaAs و سلول خورشیدی لایه نازک CIGS
3. ماده مغناطیسی و مواد مغناطیسی پیشرفته Nd-Fe-B
4. آلیاژ نقطه ذوب پایین، آماده سازی Ga2O3 و تراشه نیمه هادی
ارتباطات، روشنایی LED
2. سلول خورشیدی متمرکز GaAs و سلول خورشیدی لایه نازک CIGS
3. ماده مغناطیسی و مواد مغناطیسی پیشرفته Nd-Fe-B
4. آلیاژ نقطه ذوب پایین، آماده سازی Ga2O3 و تراشه نیمه هادی
مشخصات
| تولید - محصول | فلز GaInSn ( Ga: در: Sn=68.5:21.5: 10) | ||
| شماره دسته | 22112502 | تعداد | 100 کیلوگرم |
| تاریخ ساخت: | 25 نوامبر 2022 | تاریخ آزمون: | 25 نوامبر 2022 |
| روش آزمون | عنصر | غلظت (ppm wt) | |
| خلوص | ≥99.99٪ | ＞99.99٪ | |
| تجزیه و تحلیل ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| نام تجاری | دوره-شیمی | ||
