Niobium Silicide NbSi2 jauhe Hinta
OminaisuusNiobiumsilisidi
Tuote | toinen nimi | CAS | EINECS | molekyylipaino | sulamispiste |
NbSi2 | niobiumsilisidi;Niobidisilisidi | 12034-80-9 | 234-812-3 | 149,0774 | 1940℃ |
Tuotteen erittelyNiobiumsilisidijauhe
Nanolaatu (99,9%): 10nm, 20nm, 30nm, 40nm, 50nm, 80nm, 100nm, 200nm, 300nm, 500 nm, 800 nm.
Mikrolaatu (99,9%): 1um, 3um, 5um, 10 um, 20 um, 30 um, 40 um, 45 um, 75 um, 150 um, 200 um, 300 um.
NiSi2:n parametrit ovat seuraavat:
Kemiallinen koostumus: Si: 4,3 %, Mg: 0,1 %, loput Ni
Tiheys: 8,585g/cm3
Vastus: 0,365 Q mm2 / M
Resistanssin lämpötilakerroin (20-100 °C)689x10 miinus 6. teho / KLämpölaajenemiskerroin (20-100 °C)17x10 miinus 6. teho / K
Lämmönjohtavuus (100°C)27xwm negatiivinen ensimmäinen teho K negatiivinen ensimmäinen teho Sulamispiste: 1309 °c
Hakemuskentät:
Pii on eniten käytetty puolijohdemateriaali.Puolijohdelaitteiden kosketus- ja liitäntätekniikkaa varten on tutkittu erilaisia metallisilikejä. MoSi2, WSl ja Ni2Si on otettu käyttöön mikroelektronisten laitteiden kehittämisessä. Näillä piipohjaisilla ohuilla kalvoilla on hyvä yhteensopivuus piimateriaalien kanssa, ja niitä voidaan käyttää eristykseen ja eristämiseen. ,passivointi ja yhteenliittäminen piilaitteissa, NiSi, lupaavimpana itsekohdistuvana silisidimateriaalina nanomittakaavaisille laitteille, on tutkittu laajasti sen alhaisen piihäviön ja alhaisen muodostumislämpöbudjetin, alhaisen resistiivisyyden ja ei viivanleveysvaikutuksensa vuoksi. Grafeenielektrodissa nikkelisilisidi voi viivyttää piielektrodin jauhautuminen ja halkeilu sekä parantaa elektrodin johtavuutta. Nisi2-lejeeringin kostutus- ja leviämisvaikutukset piikarbidikeramiikassa eri olosuhteissa
lämpötiloja ja ilmakehää tutkittiin.
Todistus:
Mitä voimme tarjota: