Approvisionnement d'usine métal liquide Gallium Indium alliage d'étain Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Courte introduction
1. Nom du produit : Haute pureté 99,99Étain de gallium-indiumMétal liquideGalinstan GainSn Ga68,5 po21,5Sn10
2. Formule : GainSn
3. Pureté : 99,99 %, 99,999 %
4. Contenu : Ga : Dans : Sn=68.5:21.5 : 10 ou personnalisé
5. Apparence : métal liquide blanc argenté
Performance
Excellente conductivité thermique et électrique, propriétés stables, sûres et non toxiques
Convient aux bouteilles en plastique et doit laisser un peu d'espace, ne peut pas être emballé avec des récipients en verre.
Le Gallium Indium Tin, également connu sous le nom de GITO, est un alliage ternaire composé de Gallium (Ga), d'Indium (In) et d'Étain (Sn).Il s’agit d’un matériau unique doté de propriétés optiques et électriques réglables, ce qui le rend idéal pour une variété d’applications.Certaines applications possibles de GITO incluent :
1. Revêtement conducteur transparent : GITO étudie la possibilité de remplacer l'oxyde d'indium et d'étain (ITO), largement utilisé dans les électrodes conductrices transparentes.Il présente une transparence élevée et une faible résistivité, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les écrans plats, les cellules solaires et autres dispositifs optoélectroniques.
2. Dispositifs thermoélectriques : GITO possède de bonnes propriétés thermoélectriques et peut être utilisé pour la récupération de chaleur résiduelle dans diverses applications telles que les industries automobile et aérospatiale.
3. Electronique flexible : GITO peut être déposé sur des substrats flexibles pour fabriquer des composants électroniques portables flexibles.
4. Capteurs : GITO peut être utilisé comme matériau sensible pour divers capteurs tels que les capteurs de gaz et les biocapteurs.Dans l’ensemble, le GITO est un matériau prometteur avec des applications potentielles dans diverses industries en raison de ses propriétés uniques.La recherche au GITO est en cours et devrait jouer un rôle important dans le développement de nouvelles technologies.
Application
1. Préparation de l'arséniure de gallium (GaAs), du phoshpide de gallium (GaP) et du nitrure de gallium (GaN) pour le sans fil
communication, éclairage LED
2. Cellule solaire concentrée GaAs et cellule solaire à couches minces CIGS
3. Substance magnétique et matériaux magnétiques avancés Nd-Fe-B
4. Alliage à bas point de fusion, préparation de Ga2O3 et puce semi-conductrice
communication, éclairage LED
2. Cellule solaire concentrée GaAs et cellule solaire à couches minces CIGS
3. Substance magnétique et matériaux magnétiques avancés Nd-Fe-B
4. Alliage à bas point de fusion, préparation de Ga2O3 et puce semi-conductrice
spécification
Produit | GaInSn métal ( Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 ) | ||
N ° de lot. | 22112502 | Quantité | 100 kg |
Date de fabrication : | 25 novembre 2022 | Date de l'examen : | 25 novembre 2022 |
Méthode d'essai | Élément | Concentration (ppm en poids) | |
Pureté | ≥99,99 % | >99,99% | |
Analyse ICP (ppm) | Fe | 6 | |
Cu | 5 | ||
Pb | 8 | ||
Bi | 5 | ||
Sb | 10 | ||
As | 5 | ||
Ag | 5 | ||
Zn | 2 | ||
Al | 5 | ||
Ni | 2 | ||
Ca | 2 | ||
Si | 10 | ||
Mg | 5 | ||
Marque | Époque-Chem |