Subministro de fábrica Metal líquido Galio Indio Aleación de estaño Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introdución
1. Nome do produto: alta pureza 99,99Galio Indio Estaño Metal líquido Galinstan GainSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Fórmula:GainSn
3. Pureza: 99,99 %, 99,999 %
4. Contido: Ga: En: Sn=68,5:21,5:10 ou personalizado
5. Aspecto: Metal líquido prata branco
Rendemento
Excelente condutividade térmica e eléctrica, propiedades estables, seguro e non tóxico
Adecuado para botellas de plástico e hai que deixar algo de espazo, non se pode embalar con envases de vidro.
Galio Indio Estaño, tamén coñecida como GITO, é unha aliaxe ternaria formada por Galio (Ga), Indio (In) e Estaño (Sn). É un material único con propiedades ópticas e eléctricas sintonizables, polo que é ideal para unha variedade de aplicacións. Algunhas posibles aplicacións de GITO inclúen:
1. Revestimento condutor transparente: GITO está investigando como un substituto potencial para o óxido de indio e estaño (ITO), que se usa amplamente en electrodos condutores transparentes. Ten alta transparencia e baixa resistividade, polo que é ideal para usar en pantallas planas, células solares e outros dispositivos optoelectrónicos.
2. Dispositivos termoeléctricos: GITO ten boas propiedades termoeléctricas e pódese usar para a recuperación de calor residual en varias aplicacións como a automoción e a industria aeroespacial.
3. Electrónica flexible: GITO pódese depositar en substratos flexibles para fabricar produtos electrónicos flexibles para vestir.
4. Sensores: GITO pódese usar como material sensible para varios sensores, como sensores de gas e biosensores. En xeral, o GITO é un material prometedor con aplicacións potenciais en varias industrias debido ás súas propiedades únicas. A investigación en GITO está en curso e espérase que desempeñe un papel importante no desenvolvemento de novas tecnoloxías.
Aplicación
1. Preparación de arseniuro de galio (GaAs), fospido de galio (GaP) eNitruro de Galio(GaN) para sen fíos
comunicación, iluminación LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e Célula solar de película fina CIGS
3. Substancia magnética e materiais magnéticos avanzados Nd-Fe-B
4. Aliaxe de baixo punto de fusión, preparación de Ga2O3 e chip semicondutor
comunicación, iluminación LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e Célula solar de película fina CIGS
3. Substancia magnética e materiais magnéticos avanzados Nd-Fe-B
4. Aliaxe de baixo punto de fusión, preparación de Ga2O3 e chip semicondutor
Especificación
| Produto | GaInSn metal(Ga: In: Sn=68,5:21,5:10) | ||
| Número de lote | 22112502 | Cantidade | 100 kg |
| Data de fabricación: | 25 de novembro de 2022 | Data da proba: | 25 de novembro de 2022 |
| Método de proba | Elemento | Concentración (ppm wt) | |
| Pureza | ≥99,99 % | >99,99 % | |
| Análise ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Xinglu | ||
Produto relacionado:
Óxido de galio Ga2O3 en po,Polvo de sulfuro de galio Ga2S3,Metal líquidoAleación de galio indio Ganancia de metal
Envíanos unha consulta para conseguirGalio Indio EstañoGalinstanPrezo GainSn
