नाइओबियम सिलिसाइड NbSi2 पाउडर की कीमत
की विशेषतानाइओबियम सिलिसाइड
| वस्तु | अन्य नाम | कैस | ईआईएनईसीएस | आणविक वजन | गलनांक |
| NbSi2 | नाइओबियम सिलिसाइड; नाइओबियम डिसिलिसाइड | 12034-80-9 | 234-812-3 | 149.0774 | 1940℃ |
के उत्पाद विशिष्टतानाइओबियम सिलिसाइडपाउडर
नैनो ग्रेड(99.9%):10 एनएम, 20 एनएम, 30 एनएम, 40 एनएम, 50 एनएम, 80 एनएम, 100 एनएम, 200 एनएम, 300 एनएम, 500 एनएम, 800 एनएम।
माइक्रो ग्रेड(99.9%):1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.
NiSi2 के पैरामीटर इस प्रकार हैं:
रासायनिक संरचना: Si: 4.3%，Mg:0.1%, शेष Ni है
घनत्व: 8.585 ग्राम/सेमी3
प्रतिरोध: 0.365 क्यू मिमी2 / एम
प्रतिरोध तापमान गुणांक (20-100 डिग्री सेल्सियस) 689x10 शून्य से 6वीं शक्ति / के थर्मल विस्तार का गुणांक (20-100 डिग्री सेल्सियस) 17x10 शून्य से 6ठी शक्ति / के
तापीय चालकता (100° C)27xwm ऋणात्मक प्रथम शक्ति K ऋणात्मक प्रथम शक्ति गलनांक: 1309°c
आवेदन क्षेत्र:
सिलिकॉन सबसे व्यापक रूप से उपयोग किया जाने वाला अर्धचालक पदार्थ है। सेमीकंडक्टर उपकरणों के संपर्क और इंटरकनेक्शन तकनीक के लिए विभिन्न प्रकार के धातु सिलिसाइडों का अध्ययन किया गया है। MoSi2, WSl और Ni2Si को माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास में पेश किया गया है। इन सिलिकॉन-आधारित पतली फिल्मों में सिलिकॉन सामग्री के साथ अच्छा मिलान होता है, और इनका उपयोग इन्सुलेशन, अलगाव के लिए किया जा सकता है। सिलिकॉन उपकरणों में निष्क्रियता और इंटरकनेक्शन, NiSi, के लिए सबसे आशाजनक स्व-संरेखित सिलिसाइड सामग्री के रूप में नैनोस्केल उपकरणों का व्यापक रूप से इसके कम सिलिकॉन हानि और कम गठन ताप बजट, कम प्रतिरोधकता और ग्राफीन इलेक्ट्रोड में कोई लाइनविड्थ प्रभाव के लिए अध्ययन किया गया है, निकल सिलिसाइड सिलिकॉन इलेक्ट्रोड के चूर्णीकरण और टूटने की घटना में देरी कर सकता है, और इलेक्ट्रोड की चालकता में सुधार कर सकता है। गीलापन और SiC सिरेमिक पर nisi2 मिश्र धातु के प्रभाव को अलग-अलग फैलाना
तापमान और वातावरण की जांच की गई।
प्रमाणपत्र：
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