Gyári ellátás Folyékony fém gallium-indium ónötvözet Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Rövid bemutatkozás
1. Termék neve: Nagy tisztaságú 99,99Gallium-indium ón Folyékony fém Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Képlet:GaInSn
3. Tisztaság: 99,99%, 99,999%
4. Tartalom: Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 vagy személyre szabott
5. Megjelenés: Ezüst fehér folyékony fém
Teljesítmény
Kiváló hő- és elektromos vezetőképesség, stabil tulajdonságok, biztonságos és nem mérgező
Alkalmas műanyag palackba, és hagyni kell egy kis helyet, nem lehet üvegedénybe csomagolni.
Gallium-indium ón, más néven GITO, egy háromkomponensű ötvözet, amely galliumból (Ga), indiumból (In) és ónból (Sn) áll. Ez egy egyedülálló anyag hangolható optikai és elektromos tulajdonságokkal, így ideális különféle alkalmazásokhoz. A GITO néhány lehetséges alkalmazása:
1. Átlátszó vezető bevonat: A GITO az átlátszó vezetőképes elektródákban széles körben használt indium-ón-oxid (ITO) lehetséges helyettesítését vizsgálja. Nagy átlátszósággal és alacsony ellenállással rendelkezik, így ideális síkképernyős kijelzőkhöz, napelemekhez és egyéb optoelektronikai eszközökhöz.
2. Termoelektromos eszközök: A GITO jó termoelektromos tulajdonságokkal rendelkezik, és felhasználható hulladékhő visszanyerésére különféle alkalmazásokban, például az autóiparban és a repülőgépiparban.
3. Rugalmas elektronika: A GITO-t rugalmas felületekre lehet felhordani rugalmas viselhető elektronika előállításához.
4. Érzékelők: A GITO érzékeny anyagként használható különféle érzékelőkhöz, például gázérzékelőkhöz és bioszenzorokhoz. Összességében a GITO ígéretes anyag, amely egyedi tulajdonságainak köszönhetően számos iparágban alkalmazható. A GITO kutatása folyamatban van, és várhatóan fontos szerepet fog játszani az új technológiák fejlesztésében.
Alkalmazás
1. Gallium-arzenid (GaAs), gallium-foszpide (GaP) ésgallium-nitrid(GaN) vezeték nélküli hálózathoz
kommunikáció, LED világítás
2. GaAs koncentrált napelem és CIGS vékonyrétegű napelem
3. Mágneses anyag és Nd-Fe-B fejlett mágneses anyagok
4. Alacsony olvadáspontú ötvözet, Ga2O3 és félvezető chip előállítása
kommunikáció, LED világítás
2. GaAs koncentrált napelem és CIGS vékonyrétegű napelem
3. Mágneses anyag és Nd-Fe-B fejlett mágneses anyagok
4. Alacsony olvadáspontú ötvözet, Ga2O3 és félvezető chip előállítása
Specifikáció
| Termék | GaInSn fém( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 ) | ||
| Tételszám | 22112502 | Mennyiség | 100 kg |
| Gyártási dátum: | 2022. november 25 | A vizsgálat dátuma: | 2022. november 25 |
| Vizsgálati módszer | Elem | Koncentráció (ppm tömeg) | |
| Tisztaság | ≥99,99% | ＞99,99% | |
| ICP-elemzés (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Márka | Xinglu | ||
Kapcsolódó termék:
Gallium-oxid Ga2O3 por,Ga2S3 gallium-szulfid por,Folyékony fémGallium-indium ötvözet GaIn fém
Küldje el nekünk kérdését, hogy megkapjukGallium-indium ónGalinstanGaInSn ár
