Fornitura di fabbrica Metallo liquido Gallio Lega di indio GaIn metallo Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
Breve introduzione
1. Nome del prodotto: Fornitura in fabbrica Metallo liquidoGallio IndioLega Guadagna metallo Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
2. Formula:Guadagnolega
3. Purezza: 99,99%, 99,999%
4. Contenuto: Ga: In=75,5: 24,5 (78,5: 21,4 o personalizzato)
5. Aspetto: metallo liquido bianco argento
Prestazione
Eccellente conduttività termica ed elettrica, proprietà stabili, sicure e non tossiche
Adatto per bottiglie di plastica e deve essere lasciato un po' di spazio, non può essere imballato con contenitori di vetro.
Lega di gallio-indioè una lega metallica composta da indio e gallio. La composizione più comune di questa lega è 75% gallio e 25% indio (GaIn 75/25). A seconda del rapporto degli elementi, le proprietà fisiche e chimiche della lega varieranno. Questa lega è nota per il suo basso punto di fusione al di sotto della temperatura ambiente, che la rende un materiale utile per applicazioni criogeniche. È anche una lega eutettica, il che significa che ha una forte temperatura di transizione da liquido a solido, che la rende potenzialmente utile come termostato o dissipatore di calore.Leghe gallio-indiosono altamente conduttivi, il che li rende utili nelle applicazioni elettroniche ed elettriche, nonché nella saldatura e brasatura. Grazie al suo basso punto di fusione e alla buona conduttività termica, può essere utilizzato anche come refrigerante per metalli liquidi. Nel complesso, le leghe di gallio e indio presentano una combinazione unica di proprietà che le rendono adatte a una varietà di applicazioni, in particolare nei sistemi di gestione termica, elettrica e a bassa temperatura.
Applicazione
1. Preparazione di arseniuro di gallio (GaAs), fospide di gallio (GaP) eNitruro di gallio(GaN) per il wireless
comunicazione, illuminazione a LED
2. Cella solare concentrata GaAs e cella solare CIGS a film sottile
3. Sostanza magnetica e materiali magnetici avanzati Nd-Fe-B
4. Lega a basso punto di fusione, preparazione diGa2O3e chip semiconduttore
comunicazione, illuminazione a LED
2. Cella solare concentrata GaAs e cella solare CIGS a film sottile
3. Sostanza magnetica e materiali magnetici avanzati Nd-Fe-B
4. Lega a basso punto di fusione, preparazione diGa2O3e chip semiconduttore
Specifica
| Prodotto | Guadagna metallo(Ga: In=75,5: 24,5) | ||
| Lotto n. | 22112503 | Quantità | 10 kg |
| Data di produzione: | 25 novembre 2022 | Data della prova: | 25 novembre 2022 |
| Metodo di prova | Elemento | Concentrazione (ppm in peso) | |
| Purezza | ≥99,99% | >99,99% | |
| Analisi ICP (ppm) | Fe | 9 | |
| Cu | 10 | ||
| Pb | 12 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 10 | ||
| Al | 8 | ||
| Ca | 5 | ||
| Si | 6 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Xinglu | ||
