Rifornimento della fabbrica Metallo liquido Gallio Indio Lega di stagno Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introduzione
1. Nome del prodotto: Elevata purezza 99,99Gallio Indio Stagno Metallo liquido Galinstan GuadagnoSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Formula:GuadagnoSn
3. Purezza: 99,99%, 99,999%
4. Contenuto: Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 o personalizzato
5. Aspetto: metallo liquido bianco argento
Prestazione
Eccellente conduttività termica ed elettrica, proprietà stabili, sicure e non tossiche
Adatto per bottiglie di plastica e deve essere lasciato un po' di spazio, non può essere imballato con contenitori di vetro.
Stagno di gallio indio, conosciuta anche come GITO, è una lega ternaria costituita da Gallio (Ga), Indio (In) e Stagno (Sn). È un materiale unico con proprietà ottiche ed elettriche regolabili, che lo rendono ideale per una varietà di applicazioni. Alcune possibili applicazioni di GITO includono:
1. Rivestimento conduttivo trasparente: GITO sta studiando un potenziale sostituto dell'ossido di indio-stagno (ITO), ampiamente utilizzato negli elettrodi conduttivi trasparenti. Ha un'elevata trasparenza e una bassa resistività, che lo rendono ideale per l'uso in display a schermo piatto, celle solari e altri dispositivi optoelettronici.
2. Dispositivi termoelettrici: GITO ha buone proprietà termoelettriche e può essere utilizzato per il recupero del calore di scarto in varie applicazioni come l'industria automobilistica e aerospaziale.
3. Elettronica flessibile: GITO può essere depositato su substrati flessibili per fabbricare dispositivi elettronici indossabili flessibili.
4. Sensori: GITO può essere utilizzato come materiale sensibile per vari sensori come sensori di gas e biosensori. Nel complesso, GITO è un materiale promettente con potenziali applicazioni in vari settori grazie alle sue proprietà uniche. La ricerca presso GITO è in corso e si prevede che svolgerà un ruolo importante nello sviluppo di nuove tecnologie.
Applicazione
1. Preparazione di arseniuro di gallio (GaAs), fospide di gallio (GaP) eNitruro di gallio(GaN) per il wireless
comunicazione, illuminazione a LED
2. Cella solare concentrata GaAs e cella solare CIGS a film sottile
3. Sostanza magnetica e materiali magnetici avanzati Nd-Fe-B
4. Lega a basso punto di fusione, preparazione di Ga2O3 e chip semiconduttore
comunicazione, illuminazione a LED
2. Cella solare concentrata GaAs e cella solare CIGS a film sottile
3. Sostanza magnetica e materiali magnetici avanzati Nd-Fe-B
4. Lega a basso punto di fusione, preparazione di Ga2O3 e chip semiconduttore
Specifica
| Prodotto | GuadagnoSn metallo( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 ) | ||
| Lotto n. | 22112502 | Quantità | 100kg |
| Data di produzione: | 25 novembre 2022 | Data della prova: | 25 novembre 2022 |
| Metodo di prova | Elemento | Concentrazione (ppm in peso) | |
| Purezza | ≥99,99% | >99,99% | |
| Analisi ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Xinglu | ||
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