Rifornimento della fabbrica Metallo liquido Gallio Indio Lega di stagno Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introduzione
1. Nome del prodotto: Elevata purezza 99,99Stagno di gallio indioMetallo liquidoGalinstan GuadagnoSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Formula: GaInSn
3. Purezza: 99,99%, 99,999%
4. Contenuto: Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 o personalizzato
5. Aspetto: metallo liquido bianco argento
Prestazione
Eccellente conduttività termica ed elettrica, proprietà stabili, sicure e non tossiche
Adatto per bottiglie di plastica e deve essere lasciato un po' di spazio, non può essere imballato con contenitori di vetro.
Il Gallio Indio Stagno, noto anche come GITO, è una lega ternaria composta da Gallio (Ga), Indio (In) e Stagno (Sn).È un materiale unico con proprietà ottiche ed elettriche regolabili, che lo rendono ideale per una varietà di applicazioni.Alcune possibili applicazioni di GITO includono:
1. Rivestimento conduttivo trasparente: GITO sta studiando un potenziale sostituto dell'ossido di indio-stagno (ITO), ampiamente utilizzato negli elettrodi conduttivi trasparenti.Ha un'elevata trasparenza e una bassa resistività, che lo rendono ideale per l'uso in display a schermo piatto, celle solari e altri dispositivi optoelettronici.
2. Dispositivi termoelettrici: GITO ha buone proprietà termoelettriche e può essere utilizzato per il recupero del calore di scarto in varie applicazioni come l'industria automobilistica e aerospaziale.
3. Elettronica flessibile: GITO può essere depositato su substrati flessibili per fabbricare dispositivi elettronici indossabili flessibili.
4. Sensori: GITO può essere utilizzato come materiale sensibile per vari sensori come sensori di gas e biosensori.Nel complesso, GITO è un materiale promettente con potenziali applicazioni in vari settori grazie alle sue proprietà uniche.La ricerca presso GITO è in corso e si prevede che svolgerà un ruolo importante nello sviluppo di nuove tecnologie.
Applicazione
1. Preparazione di arseniuro di gallio (GaAs), fospide di gallio (GaP) e nitruro di gallio (GaN) per il wireless
comunicazione, illuminazione a LED
2. Cella solare concentrata GaAs e cella solare CIGS a film sottile
3. Sostanza magnetica e materiali magnetici avanzati Nd-Fe-B
4. Lega a basso punto di fusione, preparazione di Ga2O3 e chip semiconduttore
comunicazione, illuminazione a LED
2. Cella solare concentrata GaAs e cella solare CIGS a film sottile
3. Sostanza magnetica e materiali magnetici avanzati Nd-Fe-B
4. Lega a basso punto di fusione, preparazione di Ga2O3 e chip semiconduttore
Specifica
Prodotto | GaInSn metallo (Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10) | ||
Lotto n. | 22112502 | Quantità | 100kg |
Data di produzione: | 25 novembre 2022 | Data della prova: | 25 novembre 2022 |
Metodo di prova | Elemento | Concentrazione (ppm in peso) | |
Purezza | ≥99,99% | >99,99% | |
Analisi ICP (ppm) | Fe | 6 | |
Cu | 5 | ||
Pb | 8 | ||
Bi | 5 | ||
Sb | 10 | ||
As | 5 | ||
Ag | 5 | ||
Zn | 2 | ||
Al | 5 | ||
Ni | 2 | ||
Ca | 2 | ||
Si | 10 | ||
Mg | 5 | ||
Marca | Epoch-Chem |