Силикон Германияның геранигі Si-GE ұнтағы

Ісік:

1. Аты:Силикон Германияқорытпасы Si-GE ұнтағы

2. Тазалықтың 99,99% мин

3. Бөлшектердің мөлшері: 325 меш, D90 <30um немесе теңшелген

4. Сыртқы келбеті: сұр қара ұнтақ

5. МоК: 1 кг

Қолдану:

SI-GE деп аталатын кремний-Германиялық қорытпа, жартылай өткізгіш материал, ол бірегей қасиеттеріне байланысты әр түрлі жоғары технологиялық қосымшаларда үлкен көңіл бөледі. Силикон Германиялық Si-G G GE ұнтағы жоғары тазалығы кем дегенде 99,99%, ал 325 меш (D90 <30um), және қазіргі электроника мен фотониканың жетілдірілуінің негізгі компоненті болып табылады.

Кремний-Германиялық қорытпалар ұнтағының негізгі қосымшаларының бірі - жоғары сапалы транзисторлар мен интегралды схемаларды өндіру. Қорытпа таза кремниймен салыстырғанда жоғары электронды ұтқырлыққа ие, оны тезірек, тиімдірек электронды құрылғыларды дамытуға өте ыңғайлы. Бұл әсіресе телекоммуникация саласында, мұнда Silicon Germanium радио жиілігінде (RF) радиожиіліктерде (RF) қосымшалары жоғары жиіліктік транзисторлар шығаруға арналған қосымшалар қолданылады.

Сонымен қатар, кремний-Германиялық қорытпалар ұнтағы фотодетекторлар мен лазерлік диодтар сияқты оптоэлектрондық құрылғыларды өндіруде маңызды рөл атқарады. SI-GE-нің нақты толқын ұзындығына бейімдеу мүмкіндігі кең спектрлік диапазоннан тиімді жұмыс істейтін құрылғыларды тиімді жұмыс істеуге мүмкіндік береді, бұл оны талшықты-оптикалық байланыс және сенсорлық технологиялар бойынша қосымшалар үшін сыни етеді.

Сонымен қатар, аэроғарыштық және қорғаныс өнеркәсібі кремний-Германиялық легани ұнтақтарын пайдаланудан пайда көреді, олар төтенше жағдайларға төтеп бере алады. Қорытпаның жылу тұрақтылығы және механикалық беріктігі оны жоғары температуралы ортада пайдалануға жарамды етеді, бұл спутниктік және ғарыш барлау технологиялары үшін өте маңызды.

Қорытындылай келе, силикон-Германиялық центрийдің геран-GEP ұнтағы, оны электроника, телекоммуникация, аэроғарыш және т.б. сияқты көптеген өрістерде қолдануға болатын көп функционалды материалға ие, оның ерекше сипаттамалары инновацияны жүргізуге және келесі буын құрылғыларының жұмысын жақсартуды жалғастыруда.