Зауыттық сумен жабдықтау Сұйық Металл галлийі индий цлийі Галинстан Галинстан Галинстан Га68.5 in21.5sn10
Қысқаша кіріспе
1. Өнім атауы: жоғары тазалық 99.99Галлий индийі Сұйық Металл Ғалақылық Гейнсн GA68.5 In21.5SN10
2. Формула:Гейнсн
3. Тазалықтың 99,99%, 99,999%
4. Мазмұны: GA: IN: In: sn = 68.5: 21.5: 10 немесе теңшелген
5. Сыртқы келбеті: күміс ақ сұйық металл
Орындау
Тамаша жылу және электр өткізгіштік, тұрақты қасиеттері, қауіпсіз және уытты емес
Пластикалық бөтелкеге жарамды және белгілі бір бос орын қалдыруы керек, оларды шыны ыдыстармен салуға болмайды.
Галлий индийі қалайыСондай-ақ, Гито деп аталады, бұл галлий (GA), индий (in) және қалайы (SN) деп аталады. Бұл бірегей оптикалық және электрлік қасиеттері бар ерекше материал, оны әр түрлі қосымшалар үшін өте ыңғайлы етеді. Гитоға қандай да бір мүмкін қосымшалар кіреді:
1 Оның мөлдірлігі мен төмен төзімділігі жоғары, оны жалпақ панельді дисплейлерде, күн жасушаларында және басқа OptoeleCtronic құрылғыларында пайдалануға ыңғайлы етеді.
2. Термоэлектрлік құрылғылар: Гитода жақсы термоэлектрлік қасиеттері жақсы және автомобильдер мен аэроғарыш өндірісі сияқты түрлі қосымшаларда ысырапты қалпына келтіру үшін қолдануға болады.
3. Икемді электроника: Гито икемді субстраттарға икемді, икемді электрониканы дайындауға болады.
4. Сенсорлар: Гитода газ сенсорлары мен биозенсорлар сияқты түрлі датчиктер үшін сезімтал материал ретінде қолдануға болады. Жалпы алғанда, Гито - бұл бірегей қасиеттері бойынша әртүрлі салалардағы ықтимал қосымшалары бар перспективалы материал. Гитодағы зерттеулер жалғасуда және жаңа технологияларды дамытуда маңызды рөл атқарады деп күтілуде.
Қолдану
1. Gallium Arsenide (GAAS), галлий фошпид (алшақтық) жәнеГаллий нитриді(GAN) сымсыз
Байланыс, жарықдиодты жарықтандыру
2. Гаас концентрацияланған күн батареялары мен CIGS жұқа пленка күн батареясы
3. Магниттік зат және ND-FE-B жетілдірілген магниттік материалдар
4. Төмен балқу нүктесі қорытпасы, GA2O3 және жартылай өткізгіш чипті дайындау
Байланыс, жарықдиодты жарықтандыру
2. Гаас концентрацияланған күн батареялары мен CIGS жұқа пленка күн батареясы
3. Магниттік зат және ND-FE-B жетілдірілген магниттік материалдар
4. Төмен балқу нүктесі қорытпасы, GA2O3 және жартылай өткізгіш чипті дайындау
Техникалық шарғы
| Өнім | Металл негіздейді(GA: in: sn = 68.5: 21) | ||
| Пакет № | 22112502 | Сан | 100 кг |
| Өндірістегі күн: | 25, 2022 ж | Тестілеу күні: | 25, 2022 ж |
| Тест әдісі | Элемент | Шоғырлану (PPM WT) | |
| Бізіз | ≥99.99% | > 99,99% | |
| ICP талдауы (PPM) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Сорт | Xinglu | ||
Байланысты өнім:
Галлий оксиді GA2O3 ұнтағы,GA2S3 Галлий сульфидті ұнтағы,Сұйық металлГаллий Indium қорытпасы Металлға ие болу
Бізге алу туралы өтініш жіберіңізГаллий индийі қалайыҒалақылықGainsn бағасы
