Зауыттық жеткізілім Сұйық металл Галлий Индий Қалайы қорытпасы Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Қысқаша кіріспе
1. Өнім атауы: Жоғары тазалық 99,99Галий индий қалайыСұйық металлГалинстан GaInSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Формула: GaInSn
3. Тазалық: 99,99%, 99,999%
4. Мазмұны: Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 немесе теңшелген
5. Сыртқы түрі: Күміс ақ сұйық металл
Өнімділік
Өте жақсы жылу және электр өткізгіштігі, тұрақты қасиеттері, қауіпсіз және улы емес
Пластикалық бөтелкеге жарамды және аздап бос орын қалдыру керек, оны шыны ыдыстарға салуға болмайды.
Gallium Indium Tin, сондай-ақ GITO ретінде белгілі, галий (Ga), индий (In) және қалайы (Sn) тұратын үштік қорытпа болып табылады.Бұл реттелетін оптикалық және электрлік қасиеттері бар бірегей материал, оны әртүрлі қолданбалар үшін өте қолайлы етеді.GITO кейбір ықтимал қолданбаларына мыналар жатады:
1. Мөлдір өткізгіш жабын: GITO мөлдір өткізгіш электродтарда кеңінен қолданылатын индий қалайы оксидін (ITO) потенциалды ауыстыру ретінде зерттейді.Оның жоғары мөлдірлігі және төмен кедергісі бар, бұл оны жалпақ панельдік дисплейлерде, күн батареяларында және басқа оптоэлектрондық құрылғыларда қолдануға өте ыңғайлы етеді.
2. Термоэлектрлік құрылғылар: GITO жақсы термоэлектрлік қасиеттерге ие және автомобиль және аэроғарыш өнеркәсібі сияқты әртүрлі қолданбаларда қалдық жылуды қалпына келтіру үшін пайдаланылуы мүмкін.
3. Икемді электроника: GITO икемді киілетін электрониканы жасау үшін икемді субстраттарға салынуы мүмкін.
4. Датчиктер: GITO газ сенсорлары мен биосенсорлар сияқты әртүрлі сенсорлар үшін сезімтал материал ретінде пайдаланылуы мүмкін.Жалпы алғанда, GITO өзінің бірегей қасиеттеріне байланысты әртүрлі салаларда әлеуетті қолданбалары бар перспективалық материал болып табылады.GITO-да зерттеулер жалғасуда және жаңа технологияларды әзірлеуде маңызды рөл атқарады деп күтілуде.
Қолдану
1. Сымсыз байланыс үшін галлий арсениді (GaAs), галий фошпиді (GaP) және галий нитриді (GaN) дайындау
байланыс, жарықдиодты жарықтандыру
2. GaAs шоғырланған күн батареясы және CIGS жұқа қабықшалы күн батареясы
3. Магниттік зат және Nd-Fe-B жетілдірілген магниттік материалдар
4. Балқу температурасы төмен қорытпа, Ga2O3 және жартылай өткізгіш микросхеманы дайындау
байланыс, жарықдиодты жарықтандыру
2. GaAs шоғырланған күн батареясы және CIGS жұқа қабықшалы күн батареясы
3. Магниттік зат және Nd-Fe-B жетілдірілген магниттік материалдар
4. Балқу температурасы төмен қорытпа, Ga2O3 және жартылай өткізгіш микросхеманы дайындау
Техникалық сипаттама
| Өнім | GaInSn металл ( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 ) | ||
| Пакет № | 22112502 | Саны | 100 кг |
| Өндірілген күні: | 25 қараша, 2022 жыл | Сынақ күні: | 25 қараша, 2022 жыл |
| Тест әдісі | Элемент | Концентрация (ppm wt) | |
| Тазалық | ≥99,99% | ＞99,99% | |
| ICP талдауы (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Бренд | Химия дәуірі | ||
