ಲೋಹದ ಹಾಫ್ನಿಯಮ್‌ನ ಸೀಮಿತ ಜಾಗತಿಕ ನಿಕ್ಷೇಪಗಳು, ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಡೌನ್‌ಸ್ಟ್ರೀಮ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ

ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ಇತರ ಲೋಹಗಳೊಂದಿಗೆ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳನ್ನು ರಚಿಸಬಹುದು, ಅದರಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುವ ಹಾಫ್ನಿಯಮ್ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಪೆಂಟಾಕಾರ್ಬೈಡ್ ಟೆಟ್ರಾಟಾಂಟಲಮ್ ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ (Ta4HfC5), ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಪೆಂಟಾಕಾರ್ಬೈಡ್ ಟೆಟ್ರಾಟಾಂಟಲಮ್ ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್‌ನ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವು 4215 ℃ ತಲುಪಬಹುದು, ಇದು ಪ್ರಸ್ತುತ ತಿಳಿದಿರುವ ವಸ್ತುವಿನ ಅತ್ಯಧಿಕ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವಾಗಿದೆ.

ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್, ರಾಸಾಯನಿಕ ಚಿಹ್ನೆ Hf ನೊಂದಿಗೆ, ಪರಿವರ್ತನೆ ಲೋಹದ ವರ್ಗಕ್ಕೆ ಸೇರಿದ ಲೋಹೀಯ ಅಂಶವಾಗಿದೆ. ಇದರ ಧಾತುರೂಪದ ನೋಟವು ಬೆಳ್ಳಿ ಬೂದು ಮತ್ತು ಲೋಹೀಯ ಹೊಳಪು ಹೊಂದಿದೆ. ಇದು ಮೊಹ್ಸ್ ಗಡಸುತನ 5.5, ಕರಗುವ ಬಿಂದು 2233 ℃ ಮತ್ತು ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಆಗಿದೆ. ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಗಾಳಿಯಲ್ಲಿ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಲೇಪನವನ್ನು ರಚಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಅದರ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಪುಡಿಮಾಡಿದ ಹಾಫ್ನಿಯಮ್ ಗಾಳಿಯಲ್ಲಿ ಸ್ವಯಂಪ್ರೇರಿತವಾಗಿ ಬೆಂಕಿಹೊತ್ತಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಆಮ್ಲಜನಕ ಮತ್ತು ಸಾರಜನಕದೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸಬಹುದು. ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ನೀರಿನೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಹೈಡ್ರೋಕ್ಲೋರಿಕ್ ಆಮ್ಲ, ಸಲ್ಫ್ಯೂರಿಕ್ ಆಮ್ಲ ಮತ್ತು ಬಲವಾದ ಕ್ಷಾರೀಯ ದ್ರಾವಣಗಳಂತಹ ಆಮ್ಲಗಳನ್ನು ದುರ್ಬಲಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಆಕ್ವಾ ರೆಜಿಯಾ ಮತ್ತು ಹೈಡ್ರೋಫ್ಲೋರಿಕ್ ಆಮ್ಲದಂತಹ ಬಲವಾದ ಆಮ್ಲಗಳಲ್ಲಿ ಕರಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

ಅಂಶಹಾಫ್ನಿಯಮ್1923 ರಲ್ಲಿ ಕಂಡುಹಿಡಿಯಲಾಯಿತು. ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಭೂಮಿಯ ಹೊರಪದರದಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆ ಅಂಶವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಕೇವಲ 0.00045%. ಇದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಲೋಹೀಯ ಜಿರ್ಕೋನಿಯಂನೊಂದಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಅದಿರುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿಲ್ಲ. ಬೆರಿಲಿಯಮ್ ಜಿರ್ಕಾನ್, ಜಿರ್ಕಾನ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಖನಿಜಗಳಂತಹ ಹೆಚ್ಚಿನ ಜಿರ್ಕೋನಿಯಮ್ ಗಣಿಗಳಲ್ಲಿ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಅನ್ನು ಕಾಣಬಹುದು. ಮೊದಲ ಎರಡು ವಿಧದ ಅದಿರುಗಳು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿಷಯವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ ಆದರೆ ಕಡಿಮೆ ಮೀಸಲುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಜಿರ್ಕಾನ್ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ನ ಮುಖ್ಯ ಮೂಲವಾಗಿದೆ. ಜಾಗತಿಕ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ, ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಸಂಪನ್ಮೂಲಗಳ ಒಟ್ಟು ಮೀಸಲು 1 ಮಿಲಿಯನ್ ಟನ್‌ಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು. ದೊಡ್ಡ ಮೀಸಲು ಹೊಂದಿರುವ ದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ದಕ್ಷಿಣ ಆಫ್ರಿಕಾ, ಆಸ್ಟ್ರೇಲಿಯಾ, ಯುನೈಟೆಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ಸ್, ಬ್ರೆಜಿಲ್, ಭಾರತ ಮತ್ತು ಇತರ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಸೇರಿವೆ. ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಗಣಿಗಳನ್ನು ಗುವಾಂಗ್ಕ್ಸಿ ಮತ್ತು ಚೀನಾದ ಇತರ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ವಿತರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

1925 ರಲ್ಲಿ, ಸ್ವೀಡನ್ ಮತ್ತು ನೆದರ್ಲೆಂಡ್ಸ್‌ನ ಇಬ್ಬರು ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಅಂಶವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು ಮತ್ತು ಫ್ಲೋರಿನೇಟೆಡ್ ಸಂಕೀರ್ಣ ಉಪ್ಪು ಭಾಗಶಃ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ವಿಧಾನ ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಸೋಡಿಯಂ ಕಡಿತ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಲೋಹದ ಹಾಫ್ನಿಯಮ್ ಅನ್ನು ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಿದರು. ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಎರಡು ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು 1300 ℃（ α- ತಾಪಮಾನವು 1300 ℃ ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಷಡ್ಭುಜೀಯ ದಟ್ಟವಾದ ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ದೇಹ ಕೇಂದ್ರಿತ ಘನಾಕೃತಿಯ ಆಕಾರವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ (β- ಸಮೀಕರಣ). ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಆರು ಸ್ಥಿರ ಐಸೊಟೋಪ್‌ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಅವುಗಳೆಂದರೆ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ 174, ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ 176, ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ 177, ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ 178, ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ 179, ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ 180. ಜಾಗತಿಕ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ, ಯುನೈಟೆಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ಸ್ ಮತ್ತು ಫ್ರಾನ್ಸ್ ಲೋಹ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್‌ನ ಮುಖ್ಯ ಉತ್ಪಾದಕರು.

ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ನ ಮುಖ್ಯ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಸೇರಿವೆಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಡೈಆಕ್ಸಿಡ್ಇ (HfO2), ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಟೆಟ್ರಾಕ್ಲೋರೈಡ್ (HfCl4), ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಹೈಡ್ರಾಕ್ಸೈಡ್ (H4HfO4). ಲೋಹವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಟೆಟ್ರಾಕ್ಲೋರೈಡ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಬಹುದುಹಾಫ್ನಿಯಮ್, ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಸಹ ಬಳಸಬಹುದು, ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಹೈಡ್ರಾಕ್ಸೈಡ್ ಅನ್ನು ವಿವಿಧ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು. ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಇತರ ಲೋಹಗಳೊಂದಿಗೆ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳನ್ನು ರಚಿಸಬಹುದು, ಅದರಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿನಿಧಿಯು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹವಾಗಿದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಪೆಂಟಾಕಾರ್ಬೈಡ್ ಟೆಟ್ರಾಟಾಂಟಲಮ್ ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ (Ta4HfC5), ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಪೆಂಟಾಕಾರ್ಬೈಡ್ ಟೆಟ್ರಾಟಾಂಟಲಮ್ ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್‌ನ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವು 4215 ℃ ತಲುಪಬಹುದು, ಇದು ಪ್ರಸ್ತುತ ತಿಳಿದಿರುವ ವಸ್ತುವಿನ ಅತ್ಯಧಿಕ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವಾಗಿದೆ.

Xinsijie ಇಂಡಸ್ಟ್ರಿ ರಿಸರ್ಚ್ ಸೆಂಟರ್ ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಿದ "2022-2026 ಡೀಪ್ ಮಾರ್ಕೆಟ್ ರಿಸರ್ಚ್ ಮತ್ತು ಇನ್ವೆಸ್ಟ್ಮೆಂಟ್ ಸ್ಟ್ರಾಟಜಿ ಸಲಹೆಗಳ ವರದಿ ಮೆಟಲ್ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಇಂಡಸ್ಟ್ರಿ" ಪ್ರಕಾರ, ಮೆಟಲ್ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಕಾಶಮಾನ ದೀಪದ ತಂತುಗಳು, ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಟ್ಯೂಬ್ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ಗಳು ಮತ್ತು ಪ್ರೊಸೆಸರ್ ಗೇಟ್ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ಸ್ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು ; ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡ್‌ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಟಂಗ್‌ಸ್ಟನ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹ ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹವನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು, ಆದರೆ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹವನ್ನು ಪ್ರತಿರೋಧದ ವಸ್ತುಗಳು ಮತ್ತು ಟೂಲ್ ಸ್ಟೀಲ್‌ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು; ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (HfC) ರಾಕೆಟ್ ನಳಿಕೆಗಳು ಮತ್ತು ವಿಮಾನ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಪದರಗಳಿಗೆ ಬಳಸಬಹುದು, ಆದರೆ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಬೋರೈಡ್ (HfB2) ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಮಿಶ್ರಲೋಹವಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು; ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಲೋಹದ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ದೊಡ್ಡ ನ್ಯೂಟ್ರಾನ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಪರಮಾಣು ರಿಯಾಕ್ಟರ್‌ಗಳಿಗೆ ನಿಯಂತ್ರಣ ವಸ್ತು ಮತ್ತು ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಸಾಧನವಾಗಿಯೂ ಬಳಸಬಹುದು.

Xinsijie ಯ ಉದ್ಯಮದ ವಿಶ್ಲೇಷಕರು ಅದರ ಅನುಕೂಲಗಳ ಕಾರಣದಿಂದ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ನಿರೋಧಕತೆ, ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ನಿರೋಧಕತೆ ಮತ್ತು ಸಂಸ್ಕರಣೆಯ ಸುಲಭತೆಯಿಂದಾಗಿ, ಲೋಹಗಳು, ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳು, ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳಂತಹ ಇತರ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಡೌನ್‌ಸ್ಟ್ರೀಮ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನ ನಿರೋಧಕ ವಸ್ತುಗಳು, ಗಟ್ಟಿಯಾದ ಮಿಶ್ರಲೋಹ ವಸ್ತುಗಳು ಮತ್ತು ಪರಮಾಣು ಶಕ್ತಿ ವಸ್ತುಗಳು. ಹೊಸ ವಸ್ತುಗಳು, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಮಾಹಿತಿ ಮತ್ತು ಏರೋಸ್ಪೇಸ್‌ನಂತಹ ಕೈಗಾರಿಕೆಗಳ ತ್ವರಿತ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯೊಂದಿಗೆ, ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್‌ನ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು ನಿರಂತರವಾಗಿ ವಿಸ್ತರಿಸುತ್ತಿವೆ ಮತ್ತು ಹೊಸ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಹೊರಹೊಮ್ಮುತ್ತಿವೆ. ಭವಿಷ್ಯದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ನಿರೀಕ್ಷೆಗಳು ಆಶಾದಾಯಕವಾಗಿವೆ.