Toza Silicon Carbide SiC

Specification

1.Nav: Silicon carbide SiC
2.Paqijî: 99.9% min
3.Xwedî: gewr, kesk, reş
4. Mezinahiya parçeyê: 50nm, 500nm, 1um, 10-50um, 200um, hwd.
5.Best xizmeta

Bikaranînî:
Materyalên refraktîkî yên pola bilind;Materyalên karanîna taybetî ji bo paqijkirina abrasive;bearings seramîk;Parçeyên motora seramîk;Çêkerên qirkirinê;seramîkên tekstîlê;seramîkên bi frekansa bilind;Dîska hişk û piştgirî ji bo modulên pirçîpê;Semiconductors-germahiya bilind û hêza bilind;Berikên seramîk ên germahiya bilind;Parçeyên veguhestina şilavê yên germahiya bilind;Materyalên hişkkirina hişkiya bilind;Valves morkirina germahiya bilind;Nozzles spray-germahiya bilind;Substrate circuit a entegre;Piştgiriya Catalyst;Neynikê an pêlavên ji bo jîngeha ultraviolet a tund;Nanocomposites (mînak, Si3N4/SiC, SiC/polîmer);Hêmanên germkirina berxwedanê;Materyalên bihêzkirina ji bo Al, Al2O3, Mg, û Ni ......

Mercên hilanînê:
Yekbûna şil dê bandorê li performansa belavbûna wê û bandorên karanîna wê bike, ji ber vê yekê, divê ev hilber di valahiyê de were girtin û li jûreyek sar û zuwa were hilanîn û divê ew li ber hewayê nebe.Wekî din, hilber divê di bin stresê de were dûr xistin.