Liquid metallicum Gallium Indium Tin offensionis
Brevis introductio
1. Product nomen: Alta puritas 99.99Gallium Indium Tin Liquid metallicum Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Formulae:GaInSn
3. Puritas: 99,99%, 99,999%
4. Content: Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 or nativus
5. Aspectus: Argentum album metallicum
Euismod
Praeclara scelerisque et electrica conductivity, stabilium proprietates, tutas et non-toxicas
Apta pro plastic utre et spatium aliquod relinqui debet, vitreis vasis non potest referti.
Gallium Indium Tinquae etiam GITO nota est stannum ternarium Gallium (Ga), Indium et Tin (Sn). Materia unica est cum tunable proprietatibus opticis et electricis, eamque aptam variis applicationibus conficit. Aliquae applicationes GITO possibilis includunt:
1. Transparens efficiens conductiva: GITO inquirit ut potentiale substitutio pro oxydatum lati- norum (ITO), quod late in electrodes perlucido conductivo adhibetur. Magnam perspicuitatem et resistentiam humilem habet, eamque aptam facit ad usum in tabulis planis ostensionibus, cellulis solaris, aliisque artificiis optoelectronicis.
2. Cogitationes Thermoelectricae: GITO bonas proprietates thermoelectricas habet et adhiberi potest ad recuperationem vasti caloris in variis applicationibus ut autocinetum et aerospace industriarum.
3. Flexibiles electronici: GITO deponi potest in subiectis flexibilibus ad electronicas flexibiles fabricandas.
4. Sensores: GITO materia sensitiva adhiberi potest variis sensoriibus sicut sensoriis gas et biosensoribus. Super, GITO materia est pollicens applicationes potentiales in variis industriis propter singulares proprietates. Investigatio apud GITO continuatur et expectatur munus magni ponderis in novarum technologiarum evolutione.
Applicationem
1. Praeparatio Gallium Arsenide (GaAs), Gallium Phoshpide(GaP) etGallium Nitride(GaN) pro wireless
communicatio, illuminatio
2. Gaas cellae solaris concentratae et CIGS cellulae solaris tenues
3. Substantia Magnetica et Nd-Fe-B materiae magneticae provectae
4. Punctum mixturae Minimum liquescens, praeparatio ad ga2O3 et corculi semiconductoris
communicatio, illuminatio
2. Gaas cellae solaris concentratae et CIGS cellulae solaris tenues
3. Substantia Magnetica et Nd-Fe-B materiae magneticae provectae
4. Punctum mixturae Minimum liquescens, praeparatio ad ga2O3 et corculi semiconductoris
Specification
| Productum | GaInSn metallum( Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 ) | ||
| Batch No. | 22112502 | quantitas | 100kg |
| Tempus vestibulum: | 25 Nov | Data test: | 25 Nov |
| Test modus | Elementum | Retrahitur (ppm wt) | |
| Puritas | ≥99.99% | ＞99.99% | |
| ICP Analysis (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Brand | Xinglu | ||
Productum Related:
Gallium oxydatum Ga2O3 pulverulentum,Ga2S3 gallium sulfide,Liquid metallumGallium India Alloy Quaestum metallum
Inquisitionis ad nos mitteGallium Indium TinGalinstanGaInSn pretium
