Factory copiam Liquid Metal Gallii Indium stagni mixta galinstan gainsn Ga68.5 in21.5sn10
Brevis
I. Product Name: Puritas 99.99Gallium indium stagni liquida metallum Galinstan Gensn Ga68.5 in21.5sn10
II. Formula:Gensn
III. Puritas: 99.99%, 99,999%
IV. Content: Ga: in: SN = 68.5: 21,5: X vel customized
V. Vultus: Silver Alba Liquid Metal
Performatio
Optimum scelerisque et electrica conductivity, firmum proprietatibus, tutum et non-toxicus
Idoneam plastic utrem et relinqui aliqua spatio, non facis in speculo vasis.
Gallium indium stagni, Etiam notum est Gito, est a ternary steous constans Gallii (GA), indium (in) et stagni (sn). Est unicum materia cum tunicis optical et electrica proprietatibus, faciens idealis pro varietate applications. Quidam fieri potest applications Gito include:
I. PROLIXUS coating: Gito est investigandis ut potentiale replacement pro indium stagni cadmiae (Ito), quae late in transparent PROLIXUS Electrodes. Hoc est princeps diaphanum et humilis resistentibus, faciens idealis pro usu in plana panel ostentat, solaris cellulis et aliis optoelectronic cogitationes.
II. Thermoelectric cogitationes: Gito habet bonum thermoelectric proprietatibus et potest esse in vastum calor recuperatio in variis applications ut automotive et aerospace industries.
III. Flexibile Electronics: Gito potest deposita in flexibile subiecta fabricate flexibilia wearable electronics.
IV. Sensors: Gito potest esse ut a sensoriis sensoriis sensoriis sensoriis sensoriis et sensoriis et Biensores. Altiore, Gito est promissum materia cum potential applications in variis industries ex suum unicum proprietatibus. Research ad Gito est ongoing et expectat ludere an maximus munus in progressionem novi technologiae.
Applicatio
I. Praeparatio Gallii Arsenide (Gaas), Gallium phoshpide (Gap) etGallium Nitride(Gan) ad wireless
Communicationis, Led illustration
II. Gaas conuenerunt solaris cell et cigs tenues-film solaris cellulam
III. Magna substantia et t-F-B provecta magneticam materiae
IV. Minuet Point Alloy, praeparatio Ga2o3 et Semiconductor chip
Communicationis, Led illustration
II. Gaas conuenerunt solaris cell et cigs tenues-film solaris cellulam
III. Magna substantia et t-F-B provecta magneticam materiae
IV. Minuet Point Alloy, praeparatio Ga2o3 et Semiconductor chip
Specificatio
| Productio | Gaiusn metal(GA, in: SN = 68.5: 21,5: X) | ||
| Batch No. | 22112502 | Quantitas | 100kg |
| Date de vestibulum: | Nov XXV, MMXXII | Date de test: | Nov XXV, MMXXII |
| Test modus | Elementum | Concentration (PPM WT) | |
| Pudicitia | ≥99.99% | > 99.99% | |
| ICP Analysis (PPM) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Notus | Xinglu | ||
Related Product:
Gallium cadmiae Ga2o3 pulveris,Ga2S3 Gallium sulfide pulveris,MetalGallium Indium Alloy Metallum
Mitte nos inquisitionis impetroGallium indium stagniGalinstanVinea pretium
