Silīcija germānija sakausējuma si-ge pulveris

Specifika:

1. Vārds:Silīcija germānijssakausējuma si-ge pulveris

2. tīrība: 99,99%min

3. Daļiņu izmērs: 325 acs, d90 <30um vai pielāgots

4. Izskats: pelēks melns pulveris

5. MOQ: 1kg

Pieteikums:

Silīcija-Vermanija sakausējums, ko parasti sauc par SI-GE, ir pusvadītāju materiāls, kas ir piesaistījis lielu uzmanību dažādās augsto tehnoloģiju lietojumprogrammās, pateicoties tā unikālajām īpašībām. Silīcija germānija sakausējuma Si-GE pulvera augsta tīrība ir vismaz 99,99% un smalka daļiņu izmērs ir 325 acs (D90 <30um), un tas ir galvenais mūsdienu elektronikas un fotonikas uzlabojumu sastāvdaļa.

Viens no galvenajiem silīcija-germanija sakausējuma pulvera pielietojumiem ir augstas veiktspējas tranzistoru un integrētu shēmu ražošana. Sakausējumam ir augstāka elektronu mobilitāte, salīdzinot ar tīru silīciju, padarot to ideālu ātrāku, efektīvāku elektronisko ierīču attīstībai. Tas ir īpaši svarīgi telekomunikāciju nozarē, kur radiofrekvences (RF) lietojumprogrammās tiek izmantots silīcija germānijs, lai iegūtu augstfrekvences tranzistorus ar uzlabotām signālu apstrādes iespējām.

Turklāt Silicon-Germanium sakausējuma pulverim ir arī būtiska loma optoelektronisko ierīču, piemēram, fotodetektoru un lāzera diožu, ražošanā. Si-GE spēja būt noregulējama īpašiem viļņu garumiem ļauj attīstīt ierīces, kas efektīvi darbojas plašā spektrālajā diapazonā, padarot to kritisku optisko šķiedru komunikāciju un sensoru tehnoloģijas lietojumiem.

Turklāt aviācijas un aizsardzības nozare gūst labumu no silīcija un vācu sakausējumu pulveru izmantošanas, lai izstrādātu progresīvus materiālus, kas var izturēt ārkārtējus apstākļus. Sakausējuma termiskā stabilitāte un mehāniskā izturība padara to piemērotu lietošanai augstas temperatūras vidē, kas ir kritiska satelīta un kosmosa izpētes tehnoloģijai.

Rezumējot, Silicon-Germanium sakausējuma Si-GE pulverim ir lieliska tīrība un pielāgojams daļiņu izmērs, padarot to par daudzfunkcionālu materiālu, ko var izmantot daudzās jomās, piemēram, elektronikā, telekomunikācijās, kosmosā utt., Tās ​​unikālās īpašības turpina virzīt jauninājumus un uzlabot nākamās paaudzes ierīču veiktspēju.