Harga serbuk Niobium Silicid NbSi2
Ciri-ciriNiobium Silisid
item | nama lain | CAS | EINECS | berat molekul | takat lebur |
NbSi2 | Niobium silicide;Disilisida niobium | 12034-80-9 | 234-812-3 | 149.0774 | 1940 ℃ |
Spesifikasi produk daripadaNiobium Silisidserbuk
Gred nano(99.9%):10nm,20nm,30nm,40nm,50nm,80nm,100nm,200nm,300nm,500nm,800nm.
Gred mikro(99.9%):1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.
Parameter NiSi2 adalah seperti berikut:
Komposisi kimia: Si: 4.3%,Mg:0.1%, selebihnya adalah Ni
Ketumpatan: 8.585g/cm3
Rintangan: 0.365 Q mm2 / M
Pekali suhu rintangan(20-100 ° C)689x10 tolak kuasa ke-6 / KCefisien pengembangan terma (20-100° C)17x10 tolak kuasa ke-6 / K
Kekonduksian terma (100° C)27xwm kuasa pertama negatif K kuasa pertama negatif Takat lebur: 1309 °c
Medan permohonan:
Silikon adalah bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan.Pelbagai silisid logam telah dikaji untuk teknologi sentuhan dan interkoneksi peranti semikonduktor.MoSi2, WSl danNi2Si telah diperkenalkan ke dalam pembangunan peranti mikroelektronik.Filem nipis berasaskan silikon ini mempunyai padanan yang baik dengan bahan silikon, dan boleh digunakan untuk penebat, pengasingan. ,pasivasi dan interkoneksi dalam peranti silikon, NiSi, sebagai bahan silisid sejajar diri yang paling menjanjikan untuk peranti skala nano, telah dikaji secara meluas untuk kehilangan silikonnya yang rendah dan bajet haba pembentukan yang rendah, kerintangan rendah dan tiada kesan lebar talian Dalam elektrod graphene, silisid nikel boleh melambatkan berlakunya penumbuk dan keretakan elektrod silikon, dan meningkatkan kekonduksian elektrod. Kesan pembasahan dan penyebaran aloi nisi2 pada seramik SiC pada berbeza
suhu dan atmosfera telah disiasat.
Sijil:
Apa yang kami boleh sediakan: