စက်ရုံမှ ပံ့ပိုးပေးသော အရည်သတ္တု Gallium Indium Tin အလွိုင်း Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
နိဒါန်းအကျဉ်း
1. ထုတ်ကုန်အမည်- မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု 99.99Gallium Indium Tinသတ္တုအရည်Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. ဖော်မြူလာ- GaInSn
3. သန့်ရှင်းမှု- 99.99%, 99.999%
4. အကြောင်းအရာ- Ga- In- Sn=68.5:21.5:10 သို့မဟုတ် စိတ်ကြိုက်
5. ပုံပန်းသဏ္ဍာန်- ငွေဖြူသတ္တုရည်
စွမ်းဆောင်ရည်
အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူနှင့်လျှပ်စစ်စီးကူးမှု၊ တည်ငြိမ်သောဂုဏ်သတ္တိများ၊ ဘေးကင်းပြီး အဆိပ်အတောက်ကင်းသည်။
ပလပ်စတစ်ပုလင်းအတွက် သင့်တော်ပြီး နေရာလွတ်ချန်ထားရမည်ဖြစ်ပြီး ဖန်ဗူးများဖြင့် ထုပ်ပိုး၍မရပါ။
Gallium Indium Tin, GITO ဟုလည်းလူသိများသော၊ သည် Gallium (Ga), Indium (In) နှင့် Tin (Sn) တို့ပါ၀င်သော ternary alloy ဖြစ်သည်။၎င်းသည် tunable optical နှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများပါရှိသော ထူးခြားသောပစ္စည်းဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် applications အမျိုးမျိုးအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။GITO ၏ဖြစ်နိုင်ချေရှိသောအသုံးချပရိုဂရမ်အချို့တွင်-
1. Transparent conductive coating- GITO သည် ပွင့်လင်းမြင်သာသောလျှပ်ကူးလျှပ်ကူးပစ္စည်းတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုနေသည့် indium tin oxide (ITO) အတွက် အလားအလာရှိသော အစားထိုးပစ္စည်းအဖြစ် စုံစမ်းစစ်ဆေးနေပါသည်။၎င်းတွင် မြင့်မားသော ပွင့်လင်းမြင်သာမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်နည်းပါးသောကြောင့် ၎င်းအား ပြားချပ်ချပ်မျက်နှာပြင်များ၊ ဆိုလာဆဲလ်များနှင့် အခြား optoelectronic စက်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပါသည်။
2. အပူချိန်ထိန်းကိရိယာများ- GITO တွင် ကောင်းမွန်သော သာမိုလျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိပြီး မော်တော်ယာဥ် နှင့် အာကာသယာဉ်မှု လုပ်ငန်းစသည့် အမျိုးမျိုးသော အပလီကေးရှင်းများတွင် စွန့်ပစ်ပစ္စည်းများ အပူပြန်လည်ရယူရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
3. ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ- GITO ကို လိုက်လျောညီထွေရှိသော ဝတ်ဆင်နိုင်သော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို ဖန်တီးထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ကွေးညွှတ်နိုင်သော အလွှာများပေါ်တွင် ထားရှိနိုင်ပါသည်။
4. အာရုံခံကိရိယာများ- GITO သည် ဓာတ်ငွေ့အာရုံခံကိရိယာများနှင့် ဇီဝအာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော အာရုံခံကိရိယာအမျိုးမျိုးအတွက် အရေးကြီးသောပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ယေဘုယျအားဖြင့်၊ GITO သည် ၎င်း၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် စက်မှုလုပ်ငန်းအမျိုးမျိုးတွင် အလားအလာရှိသောအသုံးချမှုများပါရှိသည့် အလားအလာရှိသောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။GITO တွင် သုတေသနလုပ်ငန်းများ ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နေပြီး နည်းပညာအသစ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးတွင် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်မည်ဟု မျှော်လင့်ပါသည်။
လျှောက်လွှာ
1. ကြိုးမဲ့အတွက် Gallium Arsenide(GaAs), Gallium Phoshpide(GaP) နှင့် Gallium Nitride(GaN) တို့ကို ပြင်ဆင်ခြင်း။
ဆက်သွယ်ရေး၊ LED အလင်းရောင်
2. GaAs စုစည်းသော ဆိုလာဆဲလ်နှင့် CIGS ပါးလွှာသော ဆိုလာဆဲလ်များ
3. သံလိုက်ဓာတ်နှင့် Nd-Fe-B အဆင့်မြင့်သံလိုက်ပစ္စည်းများ
4. အရည်ပျော်မှတ်နည်းသော အလွိုင်း၊ Ga2O3 နှင့် semiconductor ချစ်ပ်များ ပြင်ဆင်မှု
ဆက်သွယ်ရေး၊ LED အလင်းရောင်
2. GaAs စုစည်းသော ဆိုလာဆဲလ်နှင့် CIGS ပါးလွှာသော ဆိုလာဆဲလ်များ
3. သံလိုက်ဓာတ်နှင့် Nd-Fe-B အဆင့်မြင့်သံလိုက်ပစ္စည်းများ
4. အရည်ပျော်မှတ်နည်းသော အလွိုင်း၊ Ga2O3 နှင့် semiconductor ချစ်ပ်များ ပြင်ဆင်မှု
သတ်မှတ်ချက်
| ထုတ်ကုန် | GaInSn သတ္တု ( Ga-In- Sn=68.5:21.5:10) | ||
| Batch No. | ၂၂၁၁၂၅၀၂ | ပမာဏ | 100kg |
| ထုတ်လုပ်သည့်ရက်စွဲ- | နိုဝင်ဘာ ၂၅၊ ၂၀၂၂ | စာမေးပွဲရက်စွဲ- | နိုဝင်ဘာ ၂၅၊ ၂၀၂၂ |
| စမ်းသပ်နည်း | ဒြပ် | အာရုံစူးစိုက်မှု (ppm wt) | |
| သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း။ | ≥99.99% | 99.99% | |
| ICP ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| အမှတ်တံဆိပ် | Epoch-Chem | ||
