Niobium Silicide NbSi2 အမှုန့်စျေးနှုန်း

ထူးခြားချက်Niobium Silicide၊

ကုန်ပစ္စည်းသတ်မှတ်ချက်Niobium Silicide၊အမှုန့်

နာနိုအဆင့်(99.9%)-10nm၊20nm၊30nm၊40nm၊50nm၊80nm၊100nm၊200nm၊300nm၊500nm၊800nm။

မိုက်ခရိုအဆင့်(99.9%)-1um၊3um၊5um၊10um၊20um၊30um၊40nm၊45um၊75um၊150um၊200um၊300um။

NiSi2 ၏ ကန့်သတ်ချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု- Si: 4.3%, Mg: 0.1%, ကျန်သည် Ni

သိပ်သည်းဆ- 8.585g/cm3

ခုခံမှု: 0.365 Q mm2 / M
ခုခံအပူချိန်ကိန်း(20-100°C)689x10 အနှုတ် 6th ပါဝါ / KCoefficient of thermal expansion (20-100°C)17x10 အနှုတ် 6th power / K
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (100°C)27xwm အနှုတ် ပထမပါဝါ K အနှုတ် ပထမပါဝါ အရည်ပျော်မှတ်- 1309°c
လျှောက်လွှာနယ်ပယ်များ-
ဆီလီကွန်သည် အသုံးအများဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အဆက်အသွယ်နှင့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုနည်းပညာအတွက် သတ္တုဆီသတ်ဆေးအမျိုးမျိုးကို လေ့လာထားသည်။MoSi2၊ WSl နှင့်Ni2Siတို့ကို မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် မိတ်ဆက်ပေးခဲ့သည်။ ယင်းဆီလီကွန်အခြေခံထားသော ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များသည် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများနှင့် ကောင်းစွာလိုက်ဖက်ပြီး လျှပ်ကာ၊ အထီးကျန်မှုအတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဆီလီကွန် စက်ပစ္စည်းများတွင် ၊passivation နှင့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှု ၊ NiSi သည် အလားအလာအကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ နာနိုစကေးစက်ပစ္စည်းများအတွက် ကိုယ်တိုင်လိုက်လျောညီထွေရှိသော silicidematerial သည် ၎င်း၏ဆီလီကွန်ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ဖွဲ့စည်းမှုအပူဘတ်ဂျက်နည်းပါးခြင်း၊ ခံနိုင်ရည်နည်းပါးပြီး linewidth အကျိုးသက်ရောက်မှုမရှိခြင်းအတွက် graphene electrode တွင်၊ နီကယ်ဆီလဆေးသည် ဆီလီကွန်လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ကွဲအက်ခြင်းကို နှောင့်နှေးစေပြီး လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်း။ SiC ကြွေထည်များပေါ်တွင် nisi2 အလွိုင်း၏ စိုစွတ်မှုနှင့် ပျံ့နှံ့မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုများ
အပူချိန်နှင့် လေထုကို စူးစမ်းလေ့လာခဲ့သည်။