နီအိုဘီယမ်ကိုသတ်သေမှု NBSI2 အမှုန့်စျေးနှုန်း

၏အင်္ဂါရပ်နီအိုဘီယမ်ကိုသတ်ခြင်း

ထုတ်ကုန်သတ်မှတ်ချက်နီအိုဘီယမ်ကိုသတ်ခြင်းအမှုန့်

Nano Grade (99.9%) - 10nm, 20n, 30nm, 40nm, 50nm, 80nm, 80nm, 80nm, 80nm, 800nm, 200n, 300nm, 300nm,

Micro Grade (99.9%) - 1um, 35, 5um, 10um, 20, 20nm, 45um, 75um, 150,1, 45um

NISI2 ၏ parameters တွေကိုအောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည် -
ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု: SI: 4.3%, MG: 0.1%, ကြွင်းသောအရာသည် ni ဖြစ်သည်

သိပ်သည်းဆ: 8.585g / CM3

ခုခံ: 0.365 q mm2 / မီတာ
အပူချိန် (20-100 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်) 689x10 အနုတ် 6th Power / Koeeffificy (20-100 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်) 17x10 အနုတ် 6th Power / K
အပူစီးကူးခြင်း (100 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်) 27xwm အနုတ်လက်ခဏာ Knish Fird Powerming Powerming Powerming Point: 1309 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်
လျှောက်လွှာအကွက်များ:
ဆီလီကွန်သည်အများဆုံးအသုံးပြုသော semiconductor ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ Semiconductor Devices ၏ဆက်သွယ်မှုနှင့်အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုနှင့်ချိတ်ဆက်မှုအမျိုးမျိုးကို Microelectronic Devices များဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအတွက်အမျိုးမျိုးသောသတ္တုပေါင်းစပ်မှုအမျိုးမျိုးကိုပြုလုပ်ခဲ့သည်။ silicon devices များ, NanoScale devices များအတွက် silicon ဆုံးရှုံးမှုနှင့်ပုံစံနိမ့်ဘတ်ဂျက်နည်းပါးခြင်းအတွက် Silicon loss နှင့် formationhate bud ဘတ်ဂျက်အတွက် Silicon lectrope အတွက် Silicon Electrope တွင်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်လေ့လာခြင်းနှင့်ပြည့်နေသည့် pulvertion lectrope တွင်ကျယ်ပြန့်စွာလေ့လာခြင်းအားဖြင့် Nickel Cruching ကိုပိုမိုဆိုးရှားစေသည် ကဲှကွာသော
အပူချိန်နှင့်လေထုကိုစုံစမ်းစစ်ဆေးခဲ့သည်။