Niobium Silicide NbSi2 အမှုန့်စျေးနှုန်း

ထူးခြားချက်Niobium Silicide၊

ကုန်ပစ္စည်းသတ်မှတ်ချက်Niobium Silicide၊အမှုန့်

နာနိုအဆင့်(99.9%)-10nm၊20nm၊30nm၊40nm၊50nm၊80nm၊100nm၊200nm၊300nm၊500nm၊800nm။

မိုက်ခရိုအဆင့်(99.9%)-1um၊3um၊5um၊10um၊20um၊30um၊40nm၊45um၊75um၊150um၊200um၊300um။

NiSi2 ၏ ကန့်သတ်ချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု- Si: 4.3%, Mg: 0.1%, ကျန်သည် Ni

သိပ်သည်းဆ- 8.585g/cm3

ခုခံမှု: 0.365 Q mm2 / M
ခုခံအပူချိန်ကိန်း(20-100°C)689x10 အနှုတ် 6th ပါဝါ / KCoefficient of thermal expansion (20-100°C)17x10 အနှုတ် 6th power / K
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (100°C)27xwm အနှုတ် ပထမပါဝါ K အနှုတ် ပထမပါဝါ အရည်ပျော်မှတ်- 1309°c
လျှောက်လွှာနယ်ပယ်များ-
ဆီလီကွန်သည် အသုံးအများဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အဆက်အသွယ်နှင့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုနည်းပညာအတွက် သတ္တုဆီသတ်ဆေးအမျိုးမျိုးကို လေ့လာထားသည်။MoSi2၊ WSl နှင့်Ni2Siတို့ကို မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် မိတ်ဆက်ပေးခဲ့သည်။ ယင်းဆီလီကွန်အခြေခံထားသော ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များသည် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများနှင့် ကောင်းစွာလိုက်ဖက်ပြီး လျှပ်ကာ၊ အထီးကျန်မှုအတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဆီလီကွန် စက်ပစ္စည်းများတွင် passivation နှင့်အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်ခြင်း၊ NiSi သည် နာနိုစကေးစက်ပစ္စည်းများအတွက် အလားအလာအရှိဆုံး self-aligned silicidematerial အဖြစ် NiSi သည် ၎င်း၏ဆီလီကွန်ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ဖွဲ့စည်းမှုအပူဘတ်ဂျက်နည်းပါးခြင်း၊ ခံနိုင်ရည်နည်းပါးပြီး linewidth သက်ရောက်မှုမရှိသည့်အတွက် graphene electrode တွင် နီကယ်ဆီသတ်ဆေးကို ကျယ်ပြန့်စွာလေ့လာခဲ့သည်။ ဆီလီကွန်လျှပ်ကူးပစ္စည်း ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ကွဲအက်ခြင်းဖြစ်ပေါ်ခြင်းနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ပေးခြင်း။ SiC ကြွေထည်များတွင် nisi2 သတ္တုစပ်၏ စိုစွတ်ခြင်းနှင့် ပျံ့နှံ့ခြင်းဆိုင်ရာ အကျိုးဆက်များ
အပူချိန်နှင့် လေထုကို စူးစမ်းလေ့လာခဲ့သည်။