Fabriekslevering Vloeibaar metaal Gallium Indium Tinlegering Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Korte introductie
1. Productnaam: Hoge zuiverheid 99,99Gallium-indiumtinVloeibaar metaalGalinstan GaInSn Ga68.5In21.5Sn10
2. Formule: GaInSn
3. Zuiverheid: 99,99%, 99,999%
4. Inhoud: Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 of aangepast
5. Uiterlijk: zilverwit vloeibaar metaal
Prestatie
Uitstekende thermische en elektrische geleidbaarheid, stabiele eigenschappen, veilig en niet-giftig
Geschikt voor plastic flessen en moet wat ruimte overlaten, kan niet worden verpakt met glazen containers.
Gallium Indium Tin, ook bekend als GITO, is een ternaire legering bestaande uit Gallium (Ga), Indium (In) en Tin (Sn).Het is een uniek materiaal met instelbare optische en elektrische eigenschappen, waardoor het ideaal is voor een verscheidenheid aan toepassingen.Enkele mogelijke toepassingen van GITO zijn onder meer:
1. Transparante geleidende coating: GITO doet onderzoek naar een mogelijke vervanging voor indiumtinoxide (ITO), dat veel wordt gebruikt in transparante geleidende elektroden.Het heeft een hoge transparantie en een lage weerstand, waardoor het ideaal is voor gebruik in platte beeldschermen, zonnecellen en andere opto-elektronische apparaten.
2. Thermo-elektrische apparaten: GITO heeft goede thermo-elektrische eigenschappen en kan worden gebruikt voor het terugwinnen van restwarmte in verschillende toepassingen, zoals de auto- en ruimtevaartindustrie.
3. Flexibele elektronica: GITO kan op flexibele substraten worden aangebracht om flexibele draagbare elektronica te vervaardigen.
4. Sensoren: GITO kan gebruikt worden als gevoelig materiaal voor diverse sensoren zoals gassensoren en biosensoren.Over het geheel genomen is GITO een veelbelovend materiaal met potentiële toepassingen in verschillende industrieën vanwege zijn unieke eigenschappen.Het onderzoek bij GITO is aan de gang en zal naar verwachting een belangrijke rol spelen in de ontwikkeling van nieuwe technologieën.
Sollicitatie
1. Voorbereiding van galliumarsenide (GaAs), galliumfosfide (GaP) en galliumnitride (GaN) voor draadloos
communicatie, LED-verlichting
2. GaAs geconcentreerde zonnecel en CIGS dunnefilmzonnecel
3. Magnetische substantie en Nd-Fe-B geavanceerde magnetische materialen
4. Legering met laag smeltpunt, voorbereiding van Ga2O3 en halfgeleiderchip
communicatie, LED-verlichting
2. GaAs geconcentreerde zonnecel en CIGS dunnefilmzonnecel
3. Magnetische substantie en Nd-Fe-B geavanceerde magnetische materialen
4. Legering met laag smeltpunt, voorbereiding van Ga2O3 en halfgeleiderchip
Specificatie
| Product | GaInSn-metaal ( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 ) | ||
| Batchnr. | 22112502 | Hoeveelheid | 100 kg |
| Datum van productie: | 25 november 2022 | Datum van test: | 25 november 2022 |
| Test methode | Element | Concentratie (ppm wt) | |
| Puurheid | ≥99,99% | >99,99% | |
| ICP-analyse (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Merk | Epoch-Chem | ||
