ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰਾਈਡ LaB6 ਪਾਊਡਰ
ਸੰਖੇਪ ਜਾਣਕਾਰੀ:
ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰੇਟਘੱਟ ਵੈਲੈਂਸ ਬੋਰਾਨ ਅਤੇ ਦੁਰਲੱਭ ਧਾਤੂ ਤੱਤ ਲੈਂਥਨਮ ਦਾ ਬਣਿਆ ਇੱਕ ਅਕਾਰਗਨਿਕ ਗੈਰ-ਧਾਤੂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਹੈ, ਜਿਸਦਾ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਬੋਰਾਈਡ ਦੀਆਂ ਬੁਨਿਆਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਪਦਾਰਥਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ ਤੋਂ, ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰੇਟ LaB6 ਇੱਕ ਘਣ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਧਾਤ ਦੇ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਰੀ ਮਿਸ਼ਰਣ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ। ਇਸ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਉੱਚ ਚਾਲਕਤਾ, ਉੱਚ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ, ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਦੇ ਘੱਟ ਗੁਣਾਂਕ, ਅਤੇ ਚੰਗੀ ਰਸਾਇਣਕ ਸਥਿਰਤਾ ਵਰਗੀਆਂ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰੇਟ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਉੱਚ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਘੱਟ ਭਾਫ਼ ਦੀ ਦਰ ਦਾ ਨਿਕਾਸ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਆਇਨ ਬੰਬਾਰੀ, ਮਜ਼ਬੂਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ, ਅਤੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਲਈ ਮਜ਼ਬੂਤ ਰੋਧ ਰੱਖਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਵੈਲਡਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਉਹਨਾਂ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਹੈ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਨਿਕਾਸੀ ਕਰੰਟ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਡਿਸਚਾਰਜ ਟਿਊਬ।
ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰੇਟਸਥਿਰ ਰਸਾਇਣਕ ਗੁਣ ਹਨ ਅਤੇ ਪਾਣੀ, ਆਕਸੀਜਨ, ਜਾਂ ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ਹਾਈਡ੍ਰੋਕਲੋਰਿਕ ਐਸਿਡ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਨਹੀਂ ਕਰਦਾ; ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ, ਇਹ ਸਿਰਫ ਨਾਈਟ੍ਰਿਕ ਐਸਿਡ ਅਤੇ ਐਕਵਾ ਰੇਜੀਆ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਕਰਦਾ ਹੈ; ਆਕਸੀਕਰਨ ਸਿਰਫ ਏਰੋਬਿਕ ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਵਿੱਚ 600-700 ℃ 'ਤੇ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਵਿੱਚ, LaB6 ਸਮੱਗਰੀ ਘੱਟ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਪਦਾਰਥ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਹੋਰ ਪਦਾਰਥਾਂ ਜਾਂ ਗੈਸਾਂ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਕਰਨ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੈ; ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ, ਬਣਦੇ ਪਦਾਰਥ ਲਗਾਤਾਰ ਭਾਫ਼ ਬਣਦੇ ਰਹਿਣਗੇ, ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰੇਟ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਘੱਟ ਬਚਣ ਵਾਲੀ ਕਾਰਜ ਸਤਹ ਨੂੰ ਨਿਕਾਸੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਪ੍ਰਗਟ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰੇਟ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਐਂਟੀ ਪੋਇਜ਼ਨਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।
ਦlanthanum hexaborateਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਕੈਥੋਡ ਦੀ ਘੱਟ ਭਾਫ ਦਰ ਅਤੇ ਲੰਬੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਗਰਮ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਸਤ੍ਹਾ ਦੇ ਧਾਤੂ ਲੈਂਥਨਮ ਪਰਮਾਣੂ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਕਾਰਨ ਖਾਲੀ ਥਾਂਵਾਂ ਪੈਦਾ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਅੰਦਰੂਨੀ ਧਾਤੂ ਲੈਂਥਨਮ ਪਰਮਾਣੂ ਵੀ ਖਾਲੀ ਥਾਂਵਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਕ ਕਰਨ ਲਈ ਫੈਲ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਬੋਰਾਨ ਫਰੇਮਵਰਕ ਬਣਤਰ ਨੂੰ ਬਦਲਿਆ ਨਹੀਂ ਰੱਖਦੇ। ਇਹ ਸੰਪੱਤੀ LaB6 ਕੈਥੋਡ ਦੇ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਉਸੇ ਸਮੇਂ ਇੱਕ ਸਰਗਰਮ ਕੈਥੋਡ ਸਤਹ ਨੂੰ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦੀ ਹੈ। ਉਸੇ ਹੀ ਨਿਕਾਸ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ 'ਤੇ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ LaB6 ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੀ ਦਰ ਆਮ ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਹੈ, ਅਤੇ ਘੱਟ ਭਾਫ਼ ਦੀ ਦਰ ਕੈਥੋਡਾਂ ਦੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਾਰਕ ਹੈ।
| ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਨਾਮ | ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰਾਈਡ |
| CAS ਨੰਬਰ | 12008-21-8 |
| ਅਣੂ ਫਾਰਮੂਲਾ | lanthanum hexaboride ਜ਼ਹਿਰ |
| ਅਣੂ ਭਾਰ | 203.77 |
| ਦਿੱਖ | ਚਿੱਟੇ ਪਾਊਡਰ / granules |
| ਘਣਤਾ | 25C 'ਤੇ 2.61 g/mL |
| ਪਿਘਲਣ ਬਿੰਦੂ | 2530 ਸੀ |
| MF | LaB6 |
| ਨਿਕਾਸੀ ਸਥਿਰ | 29A/cm2·K2 |
| ਨਿਕਾਸ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ | 29Acm-2 |
| ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦਾ ਵਿਰੋਧ | 15～27μΩ |
| ਆਕਸੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ | 600℃ |
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਰੂਪ | ਘਣ |
| ਜਾਲੀ ਸਥਿਰ | 4.157 ਏ |
| ਕੰਮ ਫੰਕਸ਼ਨ | 2.66eV |
| ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ ਗੁਣਾਂਕ | 4.9×10-6K-1 |
| ਵਿਕਰਾਂ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ (HV) | 27.7 ਜੀਪੀਏ |
| ਬ੍ਰਾਂਡ | ਜ਼ਿੰਗਲੂ |
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:
1. ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰੇਟ LaB6 ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀ
ਦੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਉੱਚ ਨਿਕਾਸੀ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਘੱਟ ਭਾਫ਼ ਦੀ ਦਰLaB6 lanthanum hexaborateਉਦਯੋਗਿਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਕੁਝ ਟੰਗਸਟਨ ਕੈਥੋਡਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਦੇ ਹੋਏ, ਇਸ ਨੂੰ ਵਧੀਆ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਬਣਾਓ। ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਲੈਂਥਨਮ ਹੈਕਸਾਬੋਰੇਟ ਨਾਲ LaB6 ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਮੁੱਖ ਕਾਰਜ ਖੇਤਰ ਹੇਠ ਲਿਖੇ ਅਨੁਸਾਰ ਹਨ:
1.1 ਨਵੀਂ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਉਦਯੋਗ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਫੌਜੀ ਅਤੇ ਪੁਲਾੜ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਵੈਕਿਊਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰ ਅਤੇ ਆਇਨ ਥ੍ਰਸਟਰ, ਸਿਵਲ ਅਤੇ ਮਿਲਟਰੀ ਉਦਯੋਗਾਂ ਦੁਆਰਾ ਲੋੜੀਂਦੇ ਉੱਚ ਪਰਿਭਾਸ਼ਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਮੌਜੂਦਾ ਐਮਿਸੀਵਿਟੀ ਵਾਲੇ ਡਿਸਪਲੇਅ ਅਤੇ ਇਮੇਜਿੰਗ ਉਪਕਰਣ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਲੇਜ਼ਰ। ਇਹਨਾਂ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ, ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨ, ਉੱਚ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨਿਕਾਸੀਤਾ, ਉੱਚ ਮੌਜੂਦਾ ਨਿਕਾਸੀ ਘਣਤਾ, ਅਤੇ ਲੰਬੀ ਉਮਰ ਦੇ ਨਾਲ ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਮੰਗ ਹਮੇਸ਼ਾਂ ਬਹੁਤ ਤੰਗ ਰਹੀ ਹੈ।
1.2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਵੈਲਡਿੰਗ ਉਦਯੋਗ, ਆਰਥਿਕਤਾ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਨਾਲ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਵੈਲਡਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨਾਂ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਪਿਘਲਣ, ਅਤੇ ਕੈਥੋਡਸ ਦੇ ਨਾਲ ਕੱਟਣ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਜੋ ਉੱਚ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਘੱਟ ਬਚਣ ਦੇ ਕੰਮ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਪਰੰਪਰਾਗਤ ਉਪਕਰਣ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਟੰਗਸਟਨ ਕੈਥੋਡਸ (ਉੱਚ ਬਚਣ ਦੇ ਕੰਮ ਅਤੇ ਘੱਟ ਮੌਜੂਦਾ ਨਿਕਾਸੀ ਘਣਤਾ ਦੇ ਨਾਲ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ ਜੋ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਇਸ ਲਈ, LaB6 ਕੈਥੋਡਾਂ ਨੇ ਟੰਗਸਟਨ ਕੈਥੋਡਾਂ ਨੂੰ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਵਧੀਆ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਨਾਲ ਬਦਲ ਦਿੱਤਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਵੈਲਡਿੰਗ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਹੈ।
1.3 ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਟੈਸਟਿੰਗ ਸਾਧਨ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ,LaB6ਕੈਥੋਡ ਆਪਣੀ ਉੱਚ ਚਮਕ, ਲੰਬੀ ਉਮਰ ਅਤੇ ਹੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਨਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ, ਔਗਰ ਸਪੈਕਟਰੋਮੀਟਰ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਪੜਤਾਲਾਂ ਵਿੱਚ ਰਵਾਇਤੀ ਗਰਮ ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਟੰਗਸਟਨ ਕੈਥੋਡ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਲਈ ਕਰਦਾ ਹੈ।
1.4ਐਕਲੇਟਰ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ, LaB6 ਵਿੱਚ ਰਵਾਇਤੀ ਟੰਗਸਟਨ ਅਤੇ ਟੈਂਟਲਮ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ ਆਇਨ ਬੰਬਾਰੀ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਉੱਚ ਸਥਿਰਤਾ ਹੈ। ਫਲਸਰੂਪ,LaB6ਕੈਥੋਡਜ਼ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਬਣਤਰਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਿੰਕ੍ਰੋਟ੍ਰੋਨ ਅਤੇ ਸਾਈਕਲੋਟ੍ਰੋਨ ਐਕਸਲੇਟਰਾਂ ਵਾਲੇ ਐਕਸਲੇਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
1.5 ਦLaB6ਕੈਥੋਡ ਨੂੰ 1.5 ਡਿਸਚਾਰਜ ਟਿਊਬ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਗੈਸ ਡਿਸਚਾਰਜ ਟਿਊਬਾਂ, ਲੇਜ਼ਰ ਟਿਊਬਾਂ, ਅਤੇ ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਕਿਸਮ ਦੇ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਵਿੱਚ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
2. LaB6, ਆਧੁਨਿਕ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਹਿੱਸੇ ਵਜੋਂ, ਸਿਵਲ ਅਤੇ ਰੱਖਿਆ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ:
2.1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਐਮੀਸ਼ਨ ਕੈਥੋਡ। ਘੱਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬਚਣ ਦੇ ਕੰਮ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਮੱਧਮ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਿਕਾਸੀ ਕਰੰਟ ਵਾਲੀ ਕੈਥੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ, ਜੋ ਉੱਚ-ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਨਿਕਾਸ ਕੈਥੋਡਾਂ ਲਈ ਆਦਰਸ਼ ਸਮੱਗਰੀ ਹਨ।
2.2 ਉੱਚ ਚਮਕ ਬਿੰਦੂ ਰੋਸ਼ਨੀ ਸਰੋਤ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪਾਂ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਕੋਰ ਕੰਪੋਨੈਂਟ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਆਪਟੀਕਲ ਫਿਲਟਰ, ਸਾਫਟ ਐਕਸ-ਰੇ ਡਿਫ੍ਰੈਕਸ਼ਨ ਮੋਨੋਕ੍ਰੋਮੇਟਰ, ਅਤੇ ਹੋਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਲਾਈਟ ਸਰੋਤ।
2.3 ਉੱਚ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਜੀਵਨ ਕਾਲ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਦੇ ਹਿੱਸੇ। ਇਸਦੀ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਵਿਆਪਕ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਭਾਗਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਉੱਕਰੀ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਹੀਟ ਸੋਰਸ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਵੈਲਡਿੰਗ ਗਨ, ਅਤੇ ਐਕਸਲੇਟਰ ਵਰਗੀਆਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ ਇਸਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
ਨਿਰਧਾਰਨ:
| ਆਈਟਮ | ਨਿਰਧਾਰਨ | ਟੈਸਟ ਦੇ ਨਤੀਜੇ |
| ਲਾ(%,ਮਿੰਟ) | 68.0 | 68.45 |
| B(%,ਮਿੰਟ) | 31.0 | 31.15 |
| lanthanum hexaborideਜ਼ਹਿਰ/(TREM+B)(%,ਮਿੰਟ) | 99.99 | 99.99 |
| TREM+B(%,ਮਿੰਟ) | 99.0 | 99.7 |
| RE ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ (ppm/TREO, ਅਧਿਕਤਮ) | ||
| Ce | 3.5 | |
| Pr | 1.0 | |
| Nd | 1.0 | |
| Sm | 1.0 | |
| Eu | 1.3 | |
| Gd | 2.0 | |
| Tb | 0.2 | |
| Dy | 0.5 | |
| Ho | 0.5 | |
| Er | 1.5 | |
| Tm | 1.0 | |
| Yb | 1.0 | |
| Lu | 1.0 | |
| Y | 1.0 | |
| ਗੈਰ-ਮੁੜ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ (ppm, ਅਧਿਕਤਮ) | ||
| Fe | 300.0 | |
| Ca | 78.0 | |
| Si | 64.0 | |
| Mg | 6.0 | |
| Cu | 2.0 | |
| Cr | 5.0 | |
| Mn | 5.0 | |
| C | 230.0 | |
| ਕਣ ਦਾ ਆਕਾਰ (μM) | 50 ਨੈਨੋਮੀਟਰ- 360 ਜਾਲ- 500 ਜਾਲ; ਗਾਹਕ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਅਨੁਸਾਰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ | |
| ਬ੍ਰਾਂਡ | ਜ਼ਿੰਗਲੂ | |
ਸਰਟੀਫਿਕੇਟ:
ਅਸੀਂ ਕੀ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਾਂ:
