Fornecimento de fábrica liga de metal líquido gálio índio estanho Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introdução
1. Nome do produto: Alta pureza 99,99Gálio Índio Estanho Metal líquido Galistão GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Fórmula:GaInSn
3. Pureza: 99,99%, 99,999%
4. Conteúdo: Ga: In: Sn = 68,5: 21,5: 10 ou personalizado
5. Aparência: metal líquido branco prateado
Desempenho
Excelente condutividade térmica e elétrica, propriedades estáveis, seguras e não tóxicas
Adequado para garrafa de plástico e deve deixar algum espaço, não pode ser embalado com recipientes de vidro.
Gálio índio estanho, também conhecido como GITO, é uma liga ternária composta por Gálio (Ga), Índio (In) e Estanho (Sn). É um material único com propriedades ópticas e elétricas ajustáveis, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações. Algumas possíveis aplicações do GITO incluem:
1. Revestimento condutor transparente: GITO está investigando como um substituto potencial para o óxido de índio e estanho (ITO), que é amplamente utilizado em eletrodos condutores transparentes. Possui alta transparência e baixa resistividade, tornando-o ideal para uso em telas planas, células solares e outros dispositivos optoeletrônicos.
2. Dispositivos termoelétricos: GITO possui boas propriedades termoelétricas e pode ser usado para recuperação de calor residual em diversas aplicações, como indústrias automotivas e aeroespaciais.
3. Eletrônica flexível: GITO pode ser depositado em substratos flexíveis para fabricar eletrônicos vestíveis flexíveis.
4. Sensores: GITO pode ser usado como material sensível para vários sensores, como sensores de gás e biossensores. No geral, o GITO é um material promissor com aplicações potenciais em diversas indústrias devido às suas propriedades únicas. A pesquisa no GITO está em andamento e espera-se que desempenhe um papel importante no desenvolvimento de novas tecnologias.
Aplicativo
1. Preparação de Arsenieto de Gálio(GaAs), Fospide de Gálio(GaP) eNitreto de gálio(GaN) para sem fio
comunicação, iluminação LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e célula solar de película fina CIGS
3. Substância magnética e materiais magnéticos avançados Nd-Fe-B
4. Liga de baixo ponto de fusão, preparação de Ga2O3 e chip semicondutor
comunicação, iluminação LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e célula solar de película fina CIGS
3. Substância magnética e materiais magnéticos avançados Nd-Fe-B
4. Liga de baixo ponto de fusão, preparação de Ga2O3 e chip semicondutor
Especificação
| Produto | Metal GaInSn( Ga: In: Sn=68,5:21,5:10 ) | ||
| Lote nº. | 22112502 | Quantidade | 100kg |
| Data de fabricação: | 25 de novembro de 2022 | Data do teste: | 25 de novembro de 2022 |
| Método de teste | Elemento | Concentração (ppm em peso) | |
| Pureza | ≥99,99% | >99,99% | |
| Análise ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Xinglu | ||
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