Factory Supply Liquid Metal Gallium Indium Tin Alloy Galinstan Gainsn Ga68.5 In21.5sn10
Breve introdução
1. Nome do produto: Alta pureza 99.99Gálio indium tin líquido metal Galinstan Gainsn GA68.5 in21.5SN10
2. Fórmula:Gainsn
3. Pureza: 99,99%, 99,999%
4. Conteúdo: GA: In: SN = 68.5: 21.5: 10 ou personalizado
5. Aparência: metal líquido branco prateado
Desempenho
Excelente condutividade térmica e elétrica, propriedades estáveis, seguras e não tóxicas
Adequado para garrafa de plástico e deve ficar com algum espaço, não pode ser embalado com recipientes de vidro.
Tinta de índio de gálio, também conhecido como Gito, é uma liga ternária que consiste em gálio (GA), índio (in) e estanho (SN). É um material exclusivo com propriedades ópticas e elétricas ajustáveis, tornando -o ideal para uma variedade de aplicações. Algumas aplicações possíveis do Gito incluem:
1. Coating condutor transparente: Gito está investigando como um substituto potencial para o óxido de índio (ITO), que é amplamente utilizado em eletrodos condutores transparentes. Possui alta transparência e baixa resistividade, tornando -o ideal para uso em telas de painel plano, células solares e outros dispositivos optoeletrônicos.
2. Dispositivos termoelétricos: O Gito possui boas propriedades termoelétricas e pode ser usado para recuperação de calor residual em várias aplicações, como indústrias automotivas e aeroespaciais.
3. Eletrônicos flexíveis: Gito pode ser depositado em substratos flexíveis para fabricar eletrônicos flexíveis vestíveis.
4. Sensores: Gito pode ser usado como material sensível para vários sensores, como sensores de gás e biossensores. No geral, o Gito é um material promissor com aplicações em potencial em vários setores devido a suas propriedades únicas. A pesquisa em Gito está em andamento e deve desempenhar um papel importante no desenvolvimento de novas tecnologias.
Aplicativo
1. Preparação de arseneto de gálio (GAAs), phoshpide de gálio (gap) eNitreto de gálio(GaN) para sem fio
Comunicação, iluminação LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e CIGs Célula solar de filme fino
3. Substância magnética e materiais magnéticos avançados de nd-be-b
4. Ligona com ponto de fusão baixa, preparação de GA2O3 e chip semicondutor
Comunicação, iluminação LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e CIGs Célula solar de filme fino
3. Substância magnética e materiais magnéticos avançados de nd-be-b
4. Ligona com ponto de fusão baixa, preparação de GA2O3 e chip semicondutor
Especificação
| Produto | Gainsn Metal(GA: In: SN = 68.5: 21.5: 10) | ||
| Lote No. | 22112502 | Quantidade | 100kg |
| Data da fabricação: | 25 de novembro de 2022 | Data do teste: | 25 de novembro de 2022 |
| Método de teste | Elemento | Concentração (ppm wt) | |
| Pureza | ≥99,99% | ＞ 99,99% | |
| Análise ICP (PPM) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Xinglu | ||
Produto relacionado:
Pó de óxido de gálio Ga2O3,Pó de sulfeto de gálio Ga2S3,Metal líquidoLiga de índio de gálio Ganhar metal
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