Niobium Silicide NbSi2 پائوڊر قيمت

جي خصوصيتNiobium Silicide

Niobium Silicide پائوڊر جي پيداوار جي وضاحت

نانو گريڊ (99.9٪): 10nm، 20nm، 30nm، 40nm، 50nm، 80nm، 100nm، 200nm، 300nm، 500nm، 800nm.

مائڪرو گريڊ (99.9٪): 1um، 3um، 5um، 10um، 20um، 30um، 40nm، 45um، 75um، 150um، 200um، 300um.

NiSi2 جا پيرا ميٽر هن ريت آهن:
ڪيميائي ساخت: سي: 4.3٪، مگ: 0.1٪، باقي آهي Ni

کثافت: 8.585g/cm3

مزاحمت: 0.365 ق mm2 / م
مزاحمت جي درجه حرارت جي کوٽائي (20-100 ° C) 689x10 مائنس 6 هين پاور / K Coefficient of Thermal expansion (20-100 ° C) 17x10 مائنس 6 پاور / K
حرارتي چالکائي (100 ° C) 27xwm منفي پهرين طاقت K منفي پهرين پاور پگھلڻ واري پوائنٽ: 1309 °c
درخواست جا ميدان:
Silicon سڀ کان وڏي پيماني تي استعمال ٿيل سيمي ڪنڊڪٽر مواد آهي. سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز جي رابطي ۽ ڪنيڪشن ٽيڪنالاجي لاءِ مختلف قسم جي ڌاتو سلائڊس جو مطالعو ڪيو ويو آهي. MoSi2، WSl ۽Ni2Si کي مائڪرو اليڪٽرانڪ ڊوائيسز جي ترقيءَ ۾ متعارف ڪرايو ويو آهي. هنن سلڪون تي ٻڌل ٿلهي فلمن کي سلکان مواد سان سٺي نموني مليل آهي، ۽ ان کي موصليت، ڌار ڪرڻ لاءِ استعمال ڪري سگهجي ٿو. , passivation and interconnection in silicon devices, NiSi, as نانوسڪيل ڊيوائسز لاءِ سڀ کان وڌيڪ واعدو ڪندڙ خود ترتيب وارو سلائسائيڊ مواد، ان جي گھٽ سلڪون نقصان ۽ گھٽ ٺاھڻ واري گرمي جي بجيٽ، گھٽ مزاحمتي ۽ بي لائين ويڊٿ اثر جي ڪري وڏي پيماني تي اڀياس ڪيو ويو آھي گرافيني اليڪٽرروڊ ۾، نڪيل سلائسائيڊ سلڪون اليڪٽرروڊ جي pulverization ۽ شگاف ٿيڻ ۾ دير ڪري سگھي ٿو، ۽ بهتر electrode جي conductivity.The wetting ۽ پکڙيل اثرات nisi2 مصر تي سي سي سيرامڪس مختلف
درجه حرارت ۽ ماحول جي تحقيق ڪئي وئي.