Niobium Silicide NbSi2 پائوڊر قيمت

جي خصوصيتNiobium Silicide

جي پيداوار جي وضاحتNiobium Silicideپائوڊر

نانو گريڊ (99.9٪): 10nm، 20nm، 30nm، 40nm، 50nm، 80nm، 100nm، 200nm، 300nm، 500nm، 800nm.

مائڪرو گريڊ (99.9٪): 1um، 3um، 5um، 10um، 20um، 30um، 40nm، 45um، 75um، 150um، 200um، 300um.

NiSi2 جا پيرا ميٽر هن ريت آهن:
ڪيميائي ساخت: سي: 4.3٪، مگ: 0.1٪، باقي آهي Ni

کثافت: 8.585g/cm3

مزاحمت: 0.365 ق mm2 / م
مزاحمت جي درجه حرارت جي کوٽائي (20-100 ° C) 689x10 مائنس 6 هين پاور / K Coefficient of Thermal expansion (20-100 ° C) 17x10 مائنس 6 پاور / K
حرارتي چالکائي (100 ° C) 27xwm منفي پهرين طاقت K منفي پهرين پاور پگھلڻ واري پوائنٽ: 1309 °c
درخواست جا ميدان:
Silicon سڀ کان وڏي پيماني تي استعمال ٿيل سيمي ڪنڊڪٽر مواد آهي.سيميڪنڊڪٽر ڊوائيسز جي رابطي ۽ ڪنيڪشن ٽيڪنالاجي لاءِ مختلف قسم جي ڌاتو سلائڊس جو مطالعو ڪيو ويو آهي. MoSi2، WSl ۽Ni2Si کي مائڪرو اليڪٽرانڪ ڊوائيسز جي ترقيءَ ۾ متعارف ڪرايو ويو آهي. هنن سلڪون تي ٻڌل ٿلهي فلمن کي سلکان مواد سان سٺي ميلاپ آهي، ۽ ان کي موصليت، ڌار ڪرڻ لاءِ استعمال ڪري سگهجي ٿو. سلڪون ڊوائيسز ۾ پاسائيويشن ۽ ڪنيڪشن، NiSi، نانوسڪيل ڊوائيسز لاء سڀ کان وڌيڪ ترقي يافته خود ترتيب واري سلائيسائيڊ مواد جي طور تي، وڏي پيماني تي اڀياس ڪيو ويو آهي ان جي گهٽ سلڪون نقصان ۽ گهٽ فارميشن گرمي جي بجيٽ، گهٽ مزاحمت ۽ بغير ڪنهن لائين ويڊٿ اثر لاء گرافين اليڪٽرروڊ ۾، نڪيل سلائڊ کي ختم ڪري سگهي ٿو. سلڪون اليڪٽرروڊ جي pulverization ۽ ٽوڙڻ جو واقعو، ۽ اليڪٽرروڊ جي چالکائي کي بهتر بڻائي ٿو. مختلف حصن تي SiC سيرامڪس تي nisi2 مصر جي گندگي ۽ ڦهلائڻ جا اثر.
درجه حرارت ۽ ماحول جي تحقيق ڪئي وئي.