Снабдевање фабрике Течни метал Галиј Индијум Легура калаја Галинстан ГаИнСн Га68.5 Ин21.5Сн10
Кратак увод
1. Назив производа: Висока чистоћа 99,99Галијум Индијум КалајТечни металГалинстан ГаИнСн Га68.5 Ин21.5Сн10
2. Формула: ГаИнСн
3. Чистоћа: 99,99%, 99,999%
4. Садржај: Га: Ин: Сн=68,5:21,5: 10 или прилагођено
5. Изглед: Сребрно бели течни метал
Перформансе
Одлична топлотна и електрична проводљивост, стабилна својства, безбедна и нетоксична
Погодно за пластичну боцу и мора се оставити мало простора, не може се паковати стакленим контејнерима.
Галијум Индијум Калај, такође познат као ГИТО, је тернарна легура која се састоји од галијума (Га), индијума (Ин) и калаја (Сн).То је јединствени материјал са подесивим оптичким и електричним својствима, што га чини идеалним за различите примене.Неке могуће примене ГИТО-а укључују:
1. Транспарентни проводни премаз: ГИТО истражује као потенцијалну замену за индијум калај оксид (ИТО), који се широко користи у провидним проводним електродама.Има високу транспарентност и ниску отпорност, што га чини идеалним за употребу у екранима са равним екраном, соларним ћелијама и другим оптоелектронским уређајима.
2. Термоелектрични уређаји: ГИТО има добра термоелектрична својства и може се користити за рекуперацију отпадне топлоте у различитим применама као што су аутомобилска и ваздухопловна индустрија.
3. Флексибилна електроника: ГИТО се може нанети на флексибилне подлоге за производњу флексибилне електронике за ношење.
4. Сензори: ГИТО се може користити као осетљив материјал за различите сензоре као што су гасни сензори и биосензори.Све у свему, ГИТО је обећавајући материјал са потенцијалном применом у различитим индустријама због својих јединствених својстава.Истраживања у ГИТО-у су у току и очекује се да ће играти важну улогу у развоју нових технологија.
Апликација
1. Припрема галијум арсенида (ГаАс), галијум фошпида (ГаП) и галијум нитрида (ГаН) за бежичну везу
комуникација, ЛЕД осветљење
2. ГаАс концентрована соларна ћелија и ЦИГС танкослојна соларна ћелија
3. Магнетна супстанца и Нд-Фе-Б напредни магнетни материјали
4. Легура ниске тачке топљења, припрема Га2О3 и полупроводничког чипа
комуникација, ЛЕД осветљење
2. ГаАс концентрована соларна ћелија и ЦИГС танкослојна соларна ћелија
3. Магнетна супстанца и Нд-Фе-Б напредни магнетни материјали
4. Легура ниске тачке топљења, припрема Га2О3 и полупроводничког чипа
Спецификација
Производ | ГаИнСн метал (Га: Ин: Сн=68,5:21,5:10) | ||
Број серије. | 22112502 | Количина | 100кг |
Датум производње: | 25. новембар 2022 | Датум тестирања: | 25. новембар 2022 |
Метод тестирања | Елемент | Концентрација (ппм вт) | |
Чистоћа | ≥99,99% | >99,99% | |
ИЦП анализа (ппм) | Fe | 6 | |
Cu | 5 | ||
Pb | 8 | ||
Bi | 5 | ||
Sb | 10 | ||
As | 5 | ||
Ag | 5 | ||
Zn | 2 | ||
Al | 5 | ||
Ni | 2 | ||
Ca | 2 | ||
Si | 10 | ||
Mg | 5 | ||
Марка | Епоцх-Цхем |