ఫ్యాక్టరీ సరఫరా ద్రవ లోహం గాలియం ఇండియం టిన్ మిశ్రమం Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
సంక్షిప్త పరిచయం
1. ఉత్పత్తి పేరు: అధిక స్వచ్ఛత 99.99గాలియం ఇండియం టిన్ లిక్విడ్ మెటల్ గాలిన్స్టన్ GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. ఫార్ములా:GaInSn
3. స్వచ్ఛత: 99.99%, 99.999%
4. కంటెంట్: Ga: లో: Sn=68.5:21.5: 10 లేదా అనుకూలీకరించబడింది
5. స్వరూపం: సిల్వర్ వైట్ లిక్విడ్ మెటల్
ప్రదర్శన
అద్భుతమైన ఉష్ణ మరియు విద్యుత్ వాహకత, స్థిరమైన లక్షణాలు, సురక్షితమైన మరియు విషపూరితం
ప్లాస్టిక్ బాటిల్కు తగినది మరియు కొంత స్థలాన్ని వదిలివేయాలి, గాజు పాత్రలతో ప్యాక్ చేయబడదు.
గాలియం ఇండియమ్ టిన్, GITO అని కూడా పిలుస్తారు, ఇది గ్యాలియం (Ga), ఇండియం (ఇన్) మరియు టిన్ (Sn)లతో కూడిన ఒక తృతీయ మిశ్రమం. ఇది ట్యూనబుల్ ఆప్టికల్ మరియు ఎలక్ట్రికల్ ప్రాపర్టీలతో కూడిన ప్రత్యేకమైన మెటీరియల్, ఇది వివిధ రకాల అప్లికేషన్లకు అనువైనది. GITO యొక్క కొన్ని సాధ్యమయ్యే అనువర్తనాలు:
1. పారదర్శక వాహక పూత: పారదర్శక వాహక ఎలక్ట్రోడ్లలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడే ఇండియం టిన్ ఆక్సైడ్ (ITO)కి సంభావ్య ప్రత్యామ్నాయంగా GITO దర్యాప్తు చేస్తోంది. ఇది అధిక పారదర్శకత మరియు తక్కువ రెసిస్టివిటీని కలిగి ఉంది, ఇది ఫ్లాట్ ప్యానెల్ డిస్ప్లేలు, సౌర ఘటాలు మరియు ఇతర ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలలో ఉపయోగించడానికి అనువైనదిగా చేస్తుంది.
2. థర్మోఎలెక్ట్రిక్ పరికరాలు: GITO మంచి థర్మోఎలెక్ట్రిక్ లక్షణాలను కలిగి ఉంది మరియు ఆటోమోటివ్ మరియు ఏరోస్పేస్ పరిశ్రమల వంటి వివిధ అనువర్తనాల్లో వ్యర్థ ఉష్ణ రికవరీ కోసం ఉపయోగించవచ్చు.
3. ఫ్లెక్సిబుల్ ఎలక్ట్రానిక్స్: ఫ్లెక్సిబుల్ వేరబుల్ ఎలక్ట్రానిక్స్ను రూపొందించడానికి GITO ఫ్లెక్సిబుల్ సబ్స్ట్రేట్లపై జమ చేయవచ్చు.
4. సెన్సార్లు: గ్యాస్ సెన్సార్లు మరియు బయోసెన్సర్లు వంటి వివిధ సెన్సార్ల కోసం GITO ఒక సున్నితమైన పదార్థంగా ఉపయోగించవచ్చు. మొత్తంమీద, GITO దాని ప్రత్యేక లక్షణాల కారణంగా వివిధ పరిశ్రమలలో సంభావ్య అనువర్తనాలతో ఒక మంచి మెటీరియల్. GITOలో పరిశోధన కొనసాగుతోంది మరియు కొత్త టెక్నాలజీల అభివృద్ధిలో ముఖ్యమైన పాత్ర పోషిస్తుందని భావిస్తున్నారు.
అప్లికేషన్
1. గాలియం ఆర్సెనైడ్ (GaAs), గాలియం ఫాష్పైడ్ (GaP) మరియుగాలియం నైట్రైడ్(GaN) వైర్లెస్ కోసం
కమ్యూనికేషన్, LED ప్రకాశం
2. GaAs సాంద్రీకృత సౌర ఘటం మరియు CIGS థిన్-ఫిల్మ్ సోలార్ సెల్
3. అయస్కాంత పదార్ధం మరియు Nd-Fe-B అధునాతన అయస్కాంత పదార్థాలు
4. తక్కువ ద్రవీభవన స్థానం మిశ్రమం, Ga2O3 మరియు సెమీకండక్టర్ చిప్ తయారీ
కమ్యూనికేషన్, LED ప్రకాశం
2. GaAs సాంద్రీకృత సౌర ఘటం మరియు CIGS థిన్-ఫిల్మ్ సోలార్ సెల్
3. అయస్కాంత పదార్ధం మరియు Nd-Fe-B అధునాతన అయస్కాంత పదార్థాలు
4. తక్కువ ద్రవీభవన స్థానం మిశ్రమం, Ga2O3 మరియు సెమీకండక్టర్ చిప్ తయారీ
స్పెసిఫికేషన్
ఉత్పత్తి | GaInSn మెటల్( గా: లో: Sn=68.5:21.5: 10 ) | ||
బ్యాచ్ నం. | 22112502 | పరిమాణం | 100కిలోలు |
తయారీ తేదీ: | నవంబర్ 25, 2022 | పరీక్ష తేదీ: | నవంబర్ 25, 2022 |
పరీక్ష పద్ధతి | మూలకం | ఏకాగ్రత (ppm wt) | |
స్వచ్ఛత | ≥99.99% | 99.99% | |
ICP విశ్లేషణ (ppm) | Fe | 6 | |
Cu | 5 | ||
Pb | 8 | ||
Bi | 5 | ||
Sb | 10 | ||
As | 5 | ||
Ag | 5 | ||
Zn | 2 | ||
Al | 5 | ||
Ni | 2 | ||
Ca | 2 | ||
Si | 10 | ||
Mg | 5 | ||
బ్రాండ్ | జింగ్లు |
సంబంధిత ఉత్పత్తి:
గాలియం ఆక్సైడ్ Ga2O3 పొడి,Ga2S3 గాలియం సల్ఫైడ్ పొడి,ద్రవ మెటల్గాలియం ఇండియమ్ మిశ్రమం గెయిన్ మెటల్
పొందడానికి మాకు విచారణ పంపండిగాలియం ఇండియమ్ టిన్గాలిన్స్టన్GaInSn ధర