Нархи хокаи Niobium Silicide NbSi2

ХусусиятиСилисиди ниобий

Мушаххасоти маҳсулоти хокаи Niobium Silicide

Синфи нано (99,9%): 10nm, 20nm, 30nm, 40nm, 50nm, 80nm, 100nm, 200nm, 300nm, 500nm, 800nm.

Синфи хурд (99,9%): 1um, 3um, 5um, 10um, 20um, 30um, 40um, 45um, 75um, 150um, 200um, 300um.

Параметрҳои NiSi2 чунинанд:
Таркиби химиявӣ: Si: 4,3%，Mg:0,1%, боқимонда Ni

Зичӣ: 8,585 г/см3

Муқовимат: 0,365 Q mm2 / М
Коэффисиенти ҳарорати муқовимат (20-100 ° C) 689x10 минуси қувваи 6-ум / ККоэффисиенти васеъшавии гармӣ (20-100 ° C) 17x10 минуси қувваи 6 / К
Қобилияти гармидиҳӣ (100 ° C) 27xwm манфии қувваи аввал K манфии қувваи аввал Нуқтаи обшавӣ: 1309 °c
Майдонҳои дархост:
Силикон маводи нимноқилӣ аз ҳама васеъ истифодашаванда мебошад. Барои технологияи алоқа ва пайвасткунии дастгоҳҳои нимноқилӣ силицидҳои гуногуни металлӣ омӯхта шудаанд. MoSi2, WSl ва Ni2Si дар таҳияи дастгоҳҳои микроэлектронӣ ҷорӣ карда шудаанд. Ин плёнкаҳои тунуки кремний бо маводи кремний мувофиқати хуб доранд ва онҳоро барои изолятсия, изолятсия истифода бурдан мумкин аст. , пассиватсия ва пайвастшавӣ дар дастгоҳҳои кремний, NiSi ҳамчун умедбахштарин Маводи силицидии худҳамоҳангшаванда барои дастгоҳҳои наносикӣ, барои талафоти ками кремний ва буҷаи гармии пасти он, муқовимати паст ва таъсири паҳнии хатҳо ба таври васеъ омӯхта шудааст. electrode.The тар ва паҳн таъсири хӯлаи nisi2 оид ба сафолї SiC дар гуногун
харорат ва атмосфера тахкик карда шуданд.