Fabrika kaynağı Sıvı metal Galyum İndiyum Kalay alaşımı Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Kısa tanıtım
1. Ürün adı: Yüksek saflıkta 99,99Galyum İndiyum KalaySıvı metalGalinstan KAZANÇ Ga68.5 In21.5Sn10
2. Formül: KazançSn
3. Saflık: %99,99, %99,999
4. İçerik: Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 veya özelleştirilmiş
5. Görünüm: Gümüş Beyaz sıvı metal
Verim
Mükemmel termal ve elektriksel iletkenlik, kararlı özellikler, güvenli ve toksik olmayan
Plastik şişe için uygundur ve biraz yer bırakılması gerekir, cam kaplarla paketlenemez.
GITO olarak da bilinen Galyum İndiyum Kalay, Galyum (Ga), İndiyum (In) ve Kalaydan (Sn) oluşan üçlü bir alaşımdır.Ayarlanabilir optik ve elektriksel özelliklere sahip benzersiz bir malzemedir ve bu da onu çeşitli uygulamalar için ideal kılar.GITO'nun bazı olası uygulamaları şunları içerir:
1. Şeffaf iletken kaplama: GITO, şeffaf iletken elektrotlarda yaygın olarak kullanılan indiyum kalay oksidin (ITO) yerine potansiyel bir alternatif olarak araştırılıyor.Yüksek şeffaflığa ve düşük dirence sahip olması onu düz panel ekranlarda, güneş pillerinde ve diğer optoelektronik cihazlarda kullanım için ideal kılar.
2. Termoelektrik cihazlar: GITO iyi termoelektrik özelliklere sahiptir ve otomotiv ve havacılık endüstrileri gibi çeşitli uygulamalarda atık ısının geri kazanılması için kullanılabilir.
3. Esnek elektronikler: GITO, esnek giyilebilir elektronikler üretmek için esnek alt tabakalar üzerine yerleştirilebilir.
4. Sensörler: GITO, gaz sensörleri ve biyosensörler gibi çeşitli sensörler için hassas bir malzeme olarak kullanılabilir.Genel olarak GITO, benzersiz özellikleri nedeniyle çeşitli endüstrilerde potansiyel uygulamaları olan umut verici bir malzemedir.GITO'daki araştırmalar devam ediyor ve yeni teknolojilerin geliştirilmesinde önemli bir rol oynaması bekleniyor.
Başvuru
1. Kablosuz için Galyum Arsenit(GaAs), Galyum Fospit(GaP) ve Galyum Nitrürün(GaN) Hazırlanması
iletişim, LED aydınlatma
2. GaAs konsantre güneş pili ve CIGS İnce film güneş pili
3. Manyetik madde ve Nd-Fe-B gelişmiş manyetik malzemeler
4. Düşük erime noktalı alaşım, Ga2O3 ve yarı iletken çipin hazırlanması
iletişim, LED aydınlatma
2. GaAs konsantre güneş pili ve CIGS İnce film güneş pili
3. Manyetik madde ve Nd-Fe-B gelişmiş manyetik malzemeler
4. Düşük erime noktalı alaşım, Ga2O3 ve yarı iletken çipin hazırlanması
Şartname
| Ürün | GaInSn metali ( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 ) | ||
| Seri No. | 22112502 | Miktar | 100kg |
| Üretim tarihi: | 25 Kasım 2022 | Test tarihi: | 25 Kasım 2022 |
| Test metodu | Öğe | Konsantrasyon (ppm ağırlık) | |
| Saflık | ≥%99,99 | >%99,99 | |
| ICP Analizi (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marka | Epoch-Kimya | ||
