Factory Fourniture Flëssegket Metal Gallium Indium Alloy GaIn Metal Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
Kuerz Aféierung
1. Produit Numm: Factory Fourniture Flëssegket MetalGallium IndiumLegierung GaIn Metal Ga75.5An 24.5 / Ga78.6An 21.4
2. Formel:GaInLegierung
3. Rengheet: 99,99%, 99,999%
4. Inhalt: Ga: In=75,5: 24,5 (78,5: 21,4 oder personaliséiert)
5. Ausgesinn: Silver White Flëssegket Metal
Leeschtung
Exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit, stabil Eegeschaften, sécher an net gëfteg
Gëeegent fir Plastiksfläsch a muss e bësse Plaz hannerlooss ginn, kann net mat Glasbehälter gepackt ginn.
Gallium-Indium Legierungass eng Metalllegierung aus Indium a Gallium. Déi heefegst Zesummesetzung vun dëser Legierung ass 75% Gallium an 25% Indium (GaIn 75/25). Ofhängeg vum Verhältnis vun Elementer, variéieren déi physesch a chemesch Eegeschafte vun der Legierung. Dës Legierung ass bekannt fir säin nidderegen Schmelzpunkt ënner Raumtemperatur, sou datt et e nëtzlecht Material fir kryogen Uwendungen mécht. Et ass och eng eutektesch Legierung, dat heescht datt et eng scharf flësseg-zu-fest Iwwergangstemperatur huet, wat et potenziell nëtzlech mécht als Thermostat oder Heizkierper.Gallium-Indium Legierungensinn héich konduktiv, sou datt se nëtzlech sinn an elektroneschen an elektresche Applikatiounen wéi och beim Schweißen a Schlässer. Wéinst sengem nidderegen Schmelzpunkt a gudder thermescher Konduktivitéit kann et och als flëssege Metallkühlmëttel benotzt ginn. Am Allgemengen hunn Gallium-Indiumlegierungen eng eenzegaarteg Kombinatioun vun Eegeschaften, déi se fir eng Vielfalt vun Uwendungen gëeegent maachen, besonnesch an niddreg Temperaturen, elektreschen an thermesche Managementsystemer.
Applikatioun
1. Virbereedung vu Gallium Arsenid (GaAs), Gallium Phosphpide (GaP) anGallium Nitrid(GaN) fir Wireless
Kommunikatioun, LED Beliichtung
2. GaAs konzentréiert Solarzelle an CIGS Thin-Film Solarzelle
3. Magnéitescht Substanz an Nd-Fe-B fortgeschratt magnetesch Materialien
4. Niddereg Schmelzpunkt Legierung, Virbereedung vunGa2O3an semiconductor Chip
Kommunikatioun, LED Beliichtung
2. GaAs konzentréiert Solarzelle an CIGS Thin-Film Solarzelle
3. Magnéitescht Substanz an Nd-Fe-B fortgeschratt magnetesch Materialien
4. Niddereg Schmelzpunkt Legierung, Virbereedung vunGa2O3an semiconductor Chip
Spezifizéierung
| Produit | GaIn Metal(Ga: In=75.5: 24.5) | ||
| Batch Nr. | 22112503 | Quantitéit | 10 kg |
| Fabrikatiounsdatum: | 25. November 2022 | Datum vum Test: | 25. November 2022 |
| Test Method | Element | Konzentratioun (ppm wt) | |
| Rengheet | ≥99,99% | ＞99.99% | |
| ICP Analyse (ppm) | Fe | 9 | |
| Cu | 10 | ||
| Pb | 12 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 10 | ||
| Al | 8 | ||
| Ca | 5 | ||
| Si | 6 | ||
| Mg | 5 | ||
| Mark | Xinglu | ||
