Mat der séierer Entwécklung vun der Hallefkonductioun Technologie, breet Bandgapverhëllefmaterialer ginn lues a lues fir zukünfteg Technie.) Ass ee vun de beschten. Mat seng exzellente Propriéëwen, gellium Oxide ännert d'Landschaft vun der Power Elektronik a Photelecetresch Detektioun.
Definitioun vumGallium oxide
Gellium oxide (gau₂o₃) ass eng inorganesch Verbindung mat enger chemescher Formel vunGa₂o₃an ass en Oxid vum Gallium. Et huet eng breet Kartanzap, Héicht Offizistloss intlizéiertem Gebai an exzellte grousse Stabilitéit oder steet e wichtege Bandschapp gesot an ass e wichtege Bandschapachtmilderen.
Features: · Cas Nummer:12024-21-4· Molekulär Gewiicht: 187.44 G / MOL Schmelzpunkt: 1900 ° C (ongeféier) · Wäiss oder hell Giel Pudder oder Kristler oder Kristler oder CHLULBLE: 6,44 G
Charakteristiken an Uwendungen vunGallium oxide
Gallium Oxide ass e breede Bandgap Semicondmaterial mat enger Bandgapbreet vu bis zu 4,8 EGE, wäit aussergewéinlech traditionell Silicon (1.1 EBLABide (3.3 EVO). Dës charakteristesch gëtt Galliume Oxid bewosst Virdeeler an de folgende Felder:
Kraaft Electronics: Gallium Oxide huet en Héichdréck Elektréier Elektresch Feld, wat méi efficace a méi kleng Kraaftapparater produzéiert, wéi héich-Volonthylers an Héichprogrammer.
Ultravioletet-Detektoren: Wéinst senger héijer Empfindlechkeet fir ultraviolet Liicht, Gallium Oxide ass wäit benotzt an der Ultravioletin an der Uwendung. Bunstrent elektronesch Geräter: Gallium Oxide huet excellent Transparenz a kann an transparent Affichage a Käschten benotzt ginn
Postzäit: Feb-12-2025