Fabréck Fourniture Flëssegket Metal Gallium Indium Zinnlegierung Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Kuerz Aféierung
1. Produit Numm: Héich Rengheet 99,99Gallium Indium ZinnFlësseg MetalGalinstan GainSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Formel: GaInSn
3. Rengheet: 99,99%, 99,999%
4. Inhalt: Ga: In: Sn=68.5:21.5:10 oder personaliséiert
5. Ausgesinn: Silver White Flëssegket Metal
Leeschtung
Exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit, stabil Eegeschaften, sécher an net gëfteg
Gëeegent fir Plastiksfläsch a muss e bësse Plaz hannerlooss ginn, kann net mat Glasbehälter gepackt ginn.
Gallium Indium Zinn, och bekannt als GITO, ass eng ternär Legierung déi aus Gallium (Ga), Indium (In) an Zinn (Sn) besteet.Et ass en eenzegaartegt Material mat tunable opteschen an elektreschen Eegeschaften, wat et ideal mécht fir eng Vielfalt vun Uwendungen.E puer méiglech Uwendunge vu GITO enthalen:
1. Transparent konduktiv Beschichtung: GITO ënnersicht als potenziell Ersatz fir Indium Zinnoxid (ITO), wat wäit an transparenten konduktiven Elektroden benotzt gëtt.Et huet héich Transparenz a geréng Resistivitéit, sou datt et ideal ass fir e Flach Panel Display, Solarzellen an aner optoelektronesch Geräter ze benotzen.
2. Thermoelektresch Geräter: GITO huet gutt thermoelektresch Eegeschaften a kann fir Offallwärme Erhuelung an verschiddenen Uwendungen wéi Automobil- a Raumfaartindustrie benotzt ginn.
3. Flexibel Elektronik: GITO kann op flexibel Substrate deposéiert ginn fir flexibel wearable Elektronik ze fabrizéieren.
4. Sensoren: GITO kann als sensibel Material fir verschidde Sensoren wéi Gassensoren a Biosensoren benotzt ginn.Allgemeng ass GITO e verspriechend Material mat potenziellen Uwendungen a verschiddenen Industrien wéinst senge eenzegaartegen Eegeschaften.Fuerschung um GITO ass lafend a gëtt erwaart eng wichteg Roll an der Entwécklung vun neien Technologien ze spillen.
Applikatioun
1. Virbereedung vu Gallium Arsenid (GaAs), Gallium Phospide (GaP) a Gallium Nitride (GaN) fir Wireless
Kommunikatioun, LED Beliichtung
2. GaAs konzentréiert Solarzelle an CIGS Thin-Film Solarzelle
3. Magnéitescht Substanz an Nd-Fe-B fortgeschratt magnetesch Materialien
4. Niddereg Schmelzpunkt Legierung, Virbereedung vu Ga2O3 a Hallefleit Chip
Kommunikatioun, LED Beliichtung
2. GaAs konzentréiert Solarzelle an CIGS Thin-Film Solarzelle
3. Magnéitescht Substanz an Nd-Fe-B fortgeschratt magnetesch Materialien
4. Niddereg Schmelzpunkt Legierung, Virbereedung vu Ga2O3 a Hallefleit Chip
Spezifizéierung
| Produit | GaInSn Metal ( Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10) | ||
| Batch Nr. | 22112502 | Quantitéit | 100 kg |
| Fabrikatiounsdatum: | 25. November 2022 | Datum vum Test: | 25. November 2022 |
| Test Method | Element | Konzentratioun (ppm wt) | |
| Rengheet | ≥99,99% | ＞99.99% | |
| ICP Analyse (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Mark | Epoch-Chem | ||
