Iyada oo ay la socoto koritaanka deg-degga ah ee tikniyoolajiyadda Semiconductor, Qalabka Wardgap ee Semiconduactor ayaa si tartiib tartiib ah u noqday tikniyoolajiyadda mustaqbalka, iyo Galliumsium oside (GA₂O₃) waa kan ugu fiican. Iyada oo leh guryo aad u wanaagsan, Gallil-ka oxide ayaa beddelaya muuqaalka muuqaalka korantada iyo ogaanshaha xijaabka.
QeexidaGallil
Gallil-gaGA₂O₃oo waa okside gellium. Waxay leedahay faashad ballaadhan oo jaranjaro ah oo kala go 'korantada korantada iyo xasilloonida kiimikada ee wanaagsan, waana wax muhiim ah oo xaar ah oo parmisonductor ah.
Tilmaamaha: · Lambarka CAS:12024-21-4Miisaanka Molikalalbale: 187.44 G / Mol G / Motion Point: 1900 ° C (Awoodda huruud ah ee cadaanka ah ama khafiif ah ama cm³ · jilicsan, oo biyo ku dhex jira, laakiin ay ku milmaan aashitada adag.
Astaamaha iyo codsiyadaGallil
Gallil-finide waa shey aad u ballaaran oo xaar ah oo leh faashad ballaadhan oo ah illaa 4.8 EV, silicon-ka aad u badan (1.1 EV) iyo silicon Carbide (3.3 EV). Astaamahani wuxuu siinayaa Gallium-ka otomium faa iido muhiim ah oo ku saabsan meelaha soo socda:
Elektiroonigga korantada
Baarayaasha Ultraviolet: Sababta oo ah xasaasiyaddeeda ugu sarreysa ee iftiinka ultraviolet, Gallil-ka oxide waxaa si weyn loogu isticmaalaa ogaanshaha dareenka ultraviolet iyo ogaanshaha amniga. Aaladaha elektiroonigga ah ee hufan
Waqtiga Post: Feb-12-2025