Nhà máy cung cấp chất lỏng kim loại gallium indium thiếc hợp kim Galinstan Gainn Ga68.5 In21.5SN10
Giới thiệu ngắn gọn
1. Tên sản phẩm: Độ tinh khiết cao 99,99Gallium indium thiếc kim loại Galinstan Gainsn GA68.5 in21.5SN10
2. Công thức:Gainsn
3. Tinh khiết: 99,99%, 99,999%
4. Nội dung: GA: IN: SN = 68,5: 21,5: 10 hoặc tùy chỉnh
5. Ngoại hình: kim loại lỏng màu trắng bạc
Hiệu suất
Độ dẫn nhiệt và điện tuyệt vời, tính chất ổn định, an toàn và không độc hại
Thích hợp cho chai nhựa và phải được để lại một số không gian, không thể được đóng gói với các hộp thủy tinh.
Gallium indium thiếc, còn được gọi là Gito, là một hợp kim ternary bao gồm gallium (GA), indium (in) và tin (sn). Nó là một vật liệu độc đáo với các tính chất quang và điện có thể điều chỉnh, làm cho nó trở nên lý tưởng cho nhiều ứng dụng. Một số ứng dụng có thể của Gito bao gồm:
1. Lớp phủ dẫn điện trong suốt: Gito đang nghiên cứu như là một sự thay thế tiềm năng cho oxit thiếc indi (ITO), được sử dụng rộng rãi trong các điện cực dẫn trong suốt. Nó có độ trong suốt cao và điện trở suất thấp, làm cho nó lý tưởng để sử dụng trong màn hình bảng phẳng, pin mặt trời và các thiết bị quang điện tử khác.
2. Thiết bị nhiệt điện: Gito có đặc tính nhiệt điện tốt và có thể được sử dụng để thu hồi nhiệt chất thải trong các ứng dụng khác nhau như ngành công nghiệp ô tô và hàng không vũ trụ.
3. Điện tử linh hoạt: Gito có thể được gửi trên các chất nền linh hoạt để chế tạo các thiết bị điện tử có thể đeo linh hoạt.
4. Cảm biến: Gito có thể được sử dụng làm vật liệu nhạy cảm cho các cảm biến khác nhau như cảm biến khí và cảm biến sinh học. Nhìn chung, Gito là một tài liệu đầy hứa hẹn với các ứng dụng tiềm năng trong các ngành công nghiệp khác nhau do các tính chất độc đáo của nó. Nghiên cứu tại Gito đang diễn ra và dự kiến sẽ đóng một vai trò quan trọng trong việc phát triển các công nghệ mới.
Ứng dụng
1. Chuẩn bị gallium arsenide (GaAs), gallium phoshpide (GAP) vàGallium nitride(Gan) cho không dây
Giao tiếp, đèn LED chiếu sáng
2. GaAs pin mặt trời cô đặc và cigs pin mặt trời màng mỏng
3. Chất từ tính và vật liệu từ tính ND-FE-B
4. Hợp kim điểm nóng chảy thấp, chuẩn bị GA2O3 và chip bán dẫn
Giao tiếp, đèn LED chiếu sáng
2. GaAs pin mặt trời cô đặc và cigs pin mặt trời màng mỏng
3. Chất từ tính và vật liệu từ tính ND-FE-B
4. Hợp kim điểm nóng chảy thấp, chuẩn bị GA2O3 và chip bán dẫn
Đặc điểm kỹ thuật
| Sản phẩm | Gainsn kim loại(GA: IN: SN = 68,5: 21,5: 10) | ||
| Batch số | 22112502 | Số lượng | 100kg |
| Ngày sản xuất: | Ngày 25 tháng 11 năm 2022 | Ngày kiểm tra: | Ngày 25 tháng 11 năm 2022 |
| Phương pháp kiểm tra | Yếu tố | Sự tập trung (ppm wt) | |
| Sự thuần khiết | ≥99,99% | ＞ 99,99% | |
| Phân tích ICP (PPM) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Thương hiệu | Xinglu | ||
Sản phẩm liên quan:
Gallium oxit GA2O3,GA2S3 gallium sunfua,Kim loại lỏngHợp kim gallium indium Đạt được kim loại
Gửi cho chúng tôi yêu cầu để có đượcGallium indium thiếcGalinstanGiá tăng
