Nhà máy cung cấp Kim loại lỏng Gallium Indium Hợp kim thiếc Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Tom lược
1. Tên sản phẩm: Độ tinh khiết cao 99,99Thiếc Gallium IndiumKim loại lỏngGalinstan Đạt đượcSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Công thức: GaInSn
3. Độ tinh khiết: 99,99%, 99,999%
4. Nội dung: Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 hoặc tùy chỉnh
5. Ngoại hình: Kim loại lỏng màu trắng bạc
Hiệu suất
Độ dẫn nhiệt và điện tuyệt vời, tính chất ổn định, an toàn và không độc hại
Thích hợp cho chai nhựa và phải chừa một khoảng trống, không thể đóng gói bằng hộp thủy tinh.
Gallium Indium Tin, còn được gọi là GITO, là hợp kim bậc ba bao gồm Gallium (Ga), Indium (In) và Thiếc (Sn).Nó là một vật liệu độc đáo với các đặc tính quang và điện có thể điều chỉnh được, khiến nó trở nên lý tưởng cho nhiều ứng dụng.Một số ứng dụng có thể có của GITO bao gồm:
1. Lớp phủ dẫn điện trong suốt: GITO đang nghiên cứu khả năng thay thế cho oxit thiếc indi (ITO), được sử dụng rộng rãi trong các điện cực dẫn điện trong suốt.Nó có độ trong suốt cao và điện trở suất thấp, lý tưởng để sử dụng trong màn hình phẳng, pin mặt trời và các thiết bị quang điện tử khác.
2. Thiết bị nhiệt điện: GITO có đặc tính nhiệt điện tốt và có thể được sử dụng để thu hồi nhiệt thải trong nhiều ứng dụng khác nhau như công nghiệp ô tô và hàng không vũ trụ.
3. Thiết bị điện tử linh hoạt: GITO có thể được lắng đọng trên các chất nền linh hoạt để chế tạo các thiết bị điện tử linh hoạt có thể đeo được.
4. Cảm biến: GITO có thể được sử dụng làm vật liệu nhạy cảm cho nhiều loại cảm biến khác nhau như cảm biến khí và cảm biến sinh học.Nhìn chung, GITO là một vật liệu đầy hứa hẹn với các ứng dụng tiềm năng trong nhiều ngành công nghiệp khác nhau nhờ những đặc tính độc đáo của nó.Nghiên cứu tại GITO đang được tiến hành và dự kiến sẽ đóng một vai trò quan trọng trong việc phát triển các công nghệ mới.
Ứng dụng
1. Điều chế Gallium Arsenide(GaAs), Gallium Phoshpide(GaP) và Gallium Nitride(GaN) cho mạng không dây
thông tin liên lạc, đèn LED chiếu sáng
2. Pin mặt trời cô đặc GaAs và pin mặt trời màng mỏng CIGS
3. Chất từ và vật liệu từ tính cao cấp Nd-Fe-B
4. Hợp kim có nhiệt độ nóng chảy thấp, chế tạo Ga2O3 và chip bán dẫn
thông tin liên lạc, đèn LED chiếu sáng
2. Pin mặt trời cô đặc GaAs và pin mặt trời màng mỏng CIGS
3. Chất từ và vật liệu từ tính cao cấp Nd-Fe-B
4. Hợp kim có nhiệt độ nóng chảy thấp, chế tạo Ga2O3 và chip bán dẫn
Sự chỉ rõ
| Sản phẩm | GaInSn kim loại ( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 ) | ||
| Số lô | 22112502 | Số lượng | 100kg |
| Ngày sản xuất: | Ngày 25 tháng 11 năm 2022 | Ngày kiểm tra: | Ngày 25 tháng 11 năm 2022 |
| Phương pháp kiểm tra | Yếu tố | Nồng độ (ppm trọng lượng) | |
| độ tinh khiết | ≥99,99% | ＞99,99% | |
| Phân tích ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Thương hiệu | Kỷ nguyên-Chem | ||
